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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 14:40 GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用 ○有田宗貴・チェ ギヒョン・荒川泰彦（東大）  ED2011-97 CPM2011-146 LQE2011-120 |
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| 抄録 | （和） | 独自に開発したGaNナノワイヤの無触媒有機金属気相成長法による作製技術(自己形成法および選択成長法)について、得られる結晶の形状に影響を与えるパラメータの熱力学的および反応工学的解析を行った。その結果、GaNナノワイヤは低過飽和度において形成されること、微細な構造の選択成長ではパターンの開口率を考慮して材料供給量を最適化する必要があること、が明らかになった。一方、高品質な単一光子発生器への応用を目指して、GaN/AlNヘテロ構造ナノワイヤにGaN量子ドットを組み込んだ素子を作製し、その光学特性を評価した。 |
| （英） | We analyzed several growth parameter dependences of the crystal morphology of GaN nanowires grown by spontaneous or selective-area catalyst-free metalorganic chemical vapor deposition in terms of thermodynamics and reaction engineering. It has been revealed that GaN nanowires are grown under low supersaturation, and that pattern fill factors should be properly taken into account in optimizing material supply rates to grow thin GaN nanowires in selective-area MOCVD. Toward the development of high-quality single photon sources, we fabricated prototype devices based on single GaN quantum dots embedded in GaN/AlN heterostructure nanowires. Optical properties of these devices were also characterized. | |
| キーワード | （和） | GaN / ナノワイヤ / MOCVD / 単一光子発生器 / / / / |
| （英） | GaN / Nanowires / MOCVD / Single Photon Sources / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-120, pp. 121-126, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-120 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-97 CPM2011-146 LQE2011-120 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaNナノワイヤの有機金属気相成長法による形成と単一光子発生器への応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Metalorganic Chemical Vapor Deposition Growth of GaN Nanowires and Their Application to Single Photon Sources |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ナノワイヤ / Nanowires |
| キーワード(3)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| キーワード(4)（和/英） | 単一光子発生器 / Single Photon Sources |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 有田 宗貴 / Munetaka Arita / アリタ ムネタカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | チェ ギヒョン / Kihyun Choi / チェ ギヒョン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京大学 (略称： 東大) University of Tokyo (略称： Univ. of Tokyo) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 14:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-97, CPM2011-146, LQE2011-120 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.121-126 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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