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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 12:45 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発 ○美濃卓哉（理研/パナソニック電工）・平山秀樹（理研）・高野隆好・野口憲路・椿 健治（理研/パナソニック電工）  ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116 |
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| 抄録 | （和） | 深紫外発光ダイオード（深紫外LED）市場の拡大が予想されていることから，我々は，深紫外LEDの低コスト化を目指し，2インチ×3枚対応型MOCVD装置を用いた，260nm帯AlGaN系深紫外LEDの開発に取り組んできた．アンモニアパルス多段成長法を採用し，c面サファイア基板上に，Al(+C)極性，かつ，貫通転位密度が低い，膜厚4umのAlNテンプレート作製に成功したことで，このテンプレート上に形成されたLEDからは，発光波長，及び出力が，2インチウエハ面内，及び全3ポケット内で，均一な発光が得られた．さらに，フリップチップ実装した深紫外LEDの光出力は，CW条件500mAで，17.1mWを，パルス条件1500mAで，40mWを達成し，外部量子効率(EQE)1%を実現した． |
| （英） | We have developed highly-uniform 260-nm-band AlGaN-based DUV LEDs fabricated on AlN templates on (0001) sapphire using a 2-inch×3 reactor by low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy (LP-MOVPE), for the purpose of realizing commercially-available low-cost DUV LEDs. 4-um-thick, high Al polarity, and low-TDD AlN templates were successfully grown on (0001) sapphire substrates using a NH3 pulsed-flow multilayer (ML) growth method. Therefore DUV LEDs on the high quality AlN templates showed good uniformity and high performance in the emission wavelength and in the output power, in 2-inch wafer and wafer to wafer. The DUV LEDs with flip-chip configuration demonstrated output power of 17.1 mW at 500 mA and 40 mW at 1500 mA measured under CW and pulsed operations, respectively. The maximum external quantum efficiency (EQE) of 1% was realized. | |
| キーワード | （和） | 深紫外LED / 2インチ×3枚対応型MOCVD / AlNテンプレート / / / / / |
| （英） | DUV LEDs / 2-inch×3 reactor / AlN templates / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-116, pp. 103-106, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-116 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-93 CPM2011-142 LQE2011-116 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 2インチ×3枚対応MOCVDを用いた260nm帯AlGaN系UV-LEDの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of 260-nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes using 2inchx3 MOVPE system |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 深紫外LED / DUV LEDs |
| キーワード(2)（和/英） | 2インチ×3枚対応型MOCVD / 2-inch×3 reactor |
| キーワード(3)（和/英） | AlNテンプレート / AlN templates |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 美濃 卓哉 / Takuya Mino / ミノ タクヤ |
| 第1著者 所属（和/英） | 理化学研究所/パナソニック電工 (略称： 理研/パナソニック電工) The Institute of Physical and Chemical Research/Panasonic Electric Works (略称： RIKEN/PEW) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 理化学研究所 (略称： 理研) The Institute of Physical and Chemical Research (略称： RIKEN) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高野 隆好 / Takayoshi Takano / タカノ タカヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 理化学研究所/パナソニック電工 (略称： 理研/パナソニック電工) The Institute of Physical and Chemical Research/Panasonic Electric Works (略称： RIKEN/PEW) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野口 憲路 / Norimichi Noguchi / ノグチ ノリミチ |
| 第4著者 所属（和/英） | 理化学研究所/パナソニック電工 (略称： 理研/パナソニック電工) The Institute of Physical and Chemical Research/Panasonic Electric Works (略称： RIKEN/PEW) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 椿 健治 / Kenji Tsubaki / ツバキ ケンジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 理化学研究所/パナソニック電工 (略称： 理研/パナソニック電工) The Institute of Physical and Chemical Research/Panasonic Electric Works (略称： RIKEN/PEW) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 12:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-93, CPM2011-142, LQE2011-116 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.103-106 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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