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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 09:30 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 ○石井良太・金田昭男・ライアン バナル・船戸 充・川上養一（京大）  ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 |
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| 抄録 | （和） | sp3 価電子軌道を構成しているウルツ鉱構造の半導体の価電子帯頂上は，結晶場相互作用によって既約 表現がΓ1 とΓ5 の状態に分裂し，スピン軌道相互作用によってさらなる微細構造に分裂している．窒化アルミニウ ムの場合，結晶場相互作用が大きいことから，Γ1 とΓ5 の状態間の歪み相互作用はほぼ無視できる．したがって， Γ1 の状態に対する歪み効果は，2 つの変形ポテンシャルで記述可能である．しかし，これまでの実験手法では，こ れらの値を独立に決定することは不可能であり，擬立方晶近似を仮定するのが常であった．本論文では，無極性面 の窒化アルミニウムバルク基板に対して，結晶主軸に平行な方向および垂直な方向から一軸性応力を加えながら偏 光反射測定を行うことで，擬立方晶近似を使用せずに2 つの変形ポテンシャルを独立に同定したことを報告する． |
| （英） | The top of the valence band structure in Wurtzite crystals is split to the irreducible representation of Γ1 and Γ5 by the crystal-field interaction. In the case of AlN, the energetic deference between Γ1 and Γ5 by this interaction are so large that the strain-induced effects between them may be neglected. Therefore, the strain-induced effects on the eigenstate of Γ1 can be described by two of the deformation potentials. In previous studies, these values have been experimentally determined in the framework of the quasicubic approximation. In this study, we determined two of the deformation potentials in AlN without the quasicubic approximation by reflectance spectroscopy under uniaxial stress. |
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| キーワード | （和） | 窒化アルミニウム / 歪み / 一軸性応力 / 変形ポテンシャル / 励起子 / 擬立方晶近似 / / |
| （英） | Aluminum Nitride / Strain / Uniaxial stress / Deformation potential / Exciton / Quasicubic approximation / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-111, pp. 77-80, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-111 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-88 CPM2011-137 LQE2011-111 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 窒化アルミニウムの電子状態に対する歪みの効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Strain-Induced Effects on the Electronic Band Structure of AlN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化アルミニウム / Aluminum Nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 歪み / Strain |
| キーワード(3)（和/英） | 一軸性応力 / Uniaxial stress |
| キーワード(4)（和/英） | 変形ポテンシャル / Deformation potential |
| キーワード(5)（和/英） | 励起子 / Exciton |
| キーワード(6)（和/英） | 擬立方晶近似 / Quasicubic approximation |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石井 良太 / Ryota Ishii / イシイ リョウタ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 昭男 / Akio Kaneta / カネタ アキオ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | ライアン バナル / Ryan G. Banal / ライアン バナル |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 船戸 充 / Mitsuru Funato / フナト ミツル |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川上 養一 / Yoichi Kawakami / カワカミ ヨウイチ |
| 第5著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第6著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-88, CPM2011-137, LQE2011-111 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.77-80 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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