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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 15:05 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 ○神村淳平・岸野克巳・神山幸一・菊池昭彦（上智大）  ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 |
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| 抄録 | （和） | 規則配列GaNナノコラムを貫通転位を含まない高品質テンプレートとして用い、活性層に高In組成InGaN、p型層にMgドープ低In組成InGaNを成長し、近赤外発光ナノコラムLEDを作製した。電気特性及び電流注入発光特性を評価したところ、室温において立ち上がり電圧～1 Vの明瞭な整流特性が得られ、波長1.46 umの近赤外EL発光を観測した。また活性層及びp型層のIn組成は発光波長、STEM-EDX、制限視野電子線回折よりそれぞれ~87%、~31%であると見積もられた。以上の結果から、窒化物半導体による最も長波長である光通信波長帯域における1.46 um LEDのデモンストレーションに初めて成功し、InGaN系材料による近赤外発光デバイス応用が可能であることを示唆した。 |
| （英） | We demonstrated the longest wavelength operation of InGaN-based LEDs emitting at 1.46 um under DC current injection at the room temperature; the LED consists of the p-type Ga-rich InGaN cladding layer, In-rich InGaN active layer, and regularly arranged n-type GaN nanocolumns. In composition of cladding and active layer are estimated to be ~31% and ~87%, respectively, from luminescence peak position, STEM-EDX, and SAED analysis. This is the first demonstration of infrared LED based on III-V nitrides and an initial step toward InGaN-based infrared optical devices. | |
| キーワード | （和） | ナノコラム / ナノワイヤー / ナノロッド / LED / 選択成長 / 窒化物半導体 / 分子線エピタキシー / |
| （英） | Nanocolumn / Nanowire / Nanorod / LED / Selective-Area Growth / Nitride Semiconductor / MBE / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-121, pp. 127-130, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-121 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-98 CPM2011-147 LQE2011-121 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 近赤外1.46um発光規則配列InGaNナノコラムLEDの作製と評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication and characterization of near-infrared (1.46 um) GaN-based nanocolumn LEDs with In-rich InGaN active layer |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ナノコラム / Nanocolumn |
| キーワード(2)（和/英） | ナノワイヤー / Nanowire |
| キーワード(3)（和/英） | ナノロッド / Nanorod |
| キーワード(4)（和/英） | LED / LED |
| キーワード(5)（和/英） | 選択成長 / Selective-Area Growth |
| キーワード(6)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride Semiconductor |
| キーワード(7)（和/英） | 分子線エピタキシー / MBE |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神村 淳平 / Jumpei Kamimura / カミムラ ジュンペイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岸野 克巳 / Katsumi Kishino / キシノ カツミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 神山 幸一 / Kouichi Kamiyama / カミヤマ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊池 昭彦 / Akihiko Kikuchi / キクチ アキヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 上智大学 (略称： 上智大) Sophia University (略称： Sophia Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 15:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-98, CPM2011-147, LQE2011-121 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.127-130 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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