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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 10:45 GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 ○関口寛人（豊橋技科大）・高木康文（浜松ホトニクス）・大谷龍輝・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
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| 抄録 | （和） | 希土類添加半導体は発光線幅が狭く温度消光が小さいなどの優れた発光特性を有するため，次世代発光デバイス材料として注目されている．本研究では，GaN:Eu へのMg共添加が発光特性に与える影響について調べた．PL評価においてGaN:Eu,Mgから5D0-7F2遷移に対応した3つの発光ピークを観測した．Mg増大に伴い発光ピークは622.3nmから620.3nmへとシフトし，最適なMg濃度において発光強度はMg無添加の試料に比べ20倍の強度が得られた．また最適化された試料においてPL温度特性から見積もられた発光効率は77％であった．これらの結果からMg共添加は選択的に発光サイトを制御し，5D0準位からの非発光成分を抑制する効果があることが示唆された． |
| （英） | Rare-earth doped semiconductor is a promising candidate for next generation light-emitting devices due to superior optical characteristics, such as a narrow spectrum and a small temperature quenching. In this study, the effect of Mg co-doping on optical properties of GaN:Eu was investigated. Three strong peaks corresponded to 5D0 - 7F2 transitions were observed. With increasing Mg concentration, the dominant peak wavelength changed from 622.3 to 620.3 nm. The PL integrated intensity of the sample with optimal Mg concenteration was 20 times higher than that of the sample without Mg co-doping. For the optimal sample, the luminous efficiency was estimated to be 77%. These results indicated that Mg co-doping could control the optical sites in GaN and led to suppress the non-radiative component from 5D0 level. | |
| キーワード | （和） | 希土類添加半導体 / Eu / GaN / Mg共添加 / 分子線エピタキシー / / / |
| （英） | Rare-earth doped semiconductor / Eu / GaN / Mg co-doping / molecular-beam epitaxy / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-114, pp. 93-97, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-114 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-91 CPM2011-140 LQE2011-114 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | GaN:EuへのMg共ドーピングによる発光特性への影響 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effect of Mg co-doping on optical characteristics of GaN:Eu |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 希土類添加半導体 / Rare-earth doped semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | Eu / Eu |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | Mg共添加 / Mg co-doping |
| キーワード(5)（和/英） | 分子線エピタキシー / molecular-beam epitaxy |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高木 康文 / Yasufumi Takagi / タカギ ヤスフミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 浜松ホトニクス株式会社 (略称： 浜松ホトニクス) Hamamatsu Photonics K. K. (略称： Hamamatsu Photonics) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大谷 龍輝 / Tatsuki Otani / オオタニ タツキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 10:45:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-91, CPM2011-140, LQE2011-114 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.93-97 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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