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講演抄録/キーワード
講演名 2011-11-18 13:35
ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光
美濃卓哉理研/パナソニック電工)・平山秀樹理研)・高野隆好椿 健治理研/パナソニック電工)・杉山正和東大ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118
抄録 (和) 我々は,横方向成長法(ELO)により形成したAlNテンプレートを用いて,Si基板上に256-278nm帯で発光する深紫外発光ダイオード(深紫外LED)の作製に成功した.Si基板上のAlNテンプレートでは,通常,SiとAlNとの格子定数差,及び,熱膨張係数差の関係から,大きな引張応力が印加され,クラックの発生,及び,貫通転位密度(TDD)の増加が課題となっている.そこで,本研究では,ELOとアンモニアパルス多段成長法とを組み合わせた結果,クラックを抑制した,膜厚4umでTDDが低いELO-AlNテンプレートを開発した.さらに,このELO-AlN/Siテンプレート上に作製したAlGaN系深紫外LEDは,280nm以下の短波長をシングルピークで発光し,Si基板上の低コスト深紫外LEDの実現,さらには,Siを中心とした半導体回路と同じチップ上への搭載も期待される. 
(英) We demonstrated 256-278 nm AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) on Si substrates by using epitaxial lateral overgrowth (ELO) AlN templates. A 4-um-thick ELO-AlN layer grown in a striped pattern along the <10-10> direction can be coalesced successfully. Low-threading-dislocation-density AlN templates were achieved on Si wafers by a combination of the ELO and NH3 pulsed-flow multilayer growth methods. Single-peaked AlGaN LEDs with wavelengths shorter than 280 nm were achieved by fabricating them on ELO-AlN templates on Si. These low-cost AlGaN-based DUV LEDs on Si substrates are expected to be integrated on the same chips with Si-based electrical circuits.
キーワード (和) 深紫外LED / Si基板 / ELO-AlNテンプレート / / / / /  
(英) DUV LEDs / Si substrates / ELO-AlN templates / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-118, pp. 113-116, 2011年11月.
資料番号 LQE2011-118 
発行日 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118

研究会情報
研究会 LQE ED CPM  
開催期間 2011-11-17 - 2011-11-18 
開催地(和) 京都大学桂キャンパス 桂ホール 
開催地(英) Katsura Hall,Kyoto Univ. 
テーマ(和) 窒化物半導体光・電子デバイス・材料,関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2011-11-LQE-ED-CPM 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Realization of 256 nm AlGaN-based deep-ultraviolet light-emitting diodes on Si substrates using epitaxial lateral overgrowth AlN templates 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 深紫外LED / DUV LEDs  
キーワード(2)(和/英) Si基板 / Si substrates  
キーワード(3)(和/英) ELO-AlNテンプレート / ELO-AlN templates  
キーワード(4)(和/英) /  
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キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 美濃 卓哉 / Takuya Mino / ミノ タクヤ
第1著者 所属(和/英) 理化学研究所/パナソニック電工 (略称: 理研/パナソニック電工)
The Institute of Physical and Chemical Research/Panasonic Electric Works (略称: RIKEN/PEW)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 平山 秀樹 / Hideki Hirayama / ヒラヤマ ヒデキ
第2著者 所属(和/英) 理化学研究所 (略称: 理研)
The Institute of Physical and Chemical Research (略称: RIKEN)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 高野 隆好 / Takayoshi Takano / タカノ タカヨシ
第3著者 所属(和/英) 理化学研究所/パナソニック電工 (略称: 理研/パナソニック電工)
The Institute of Physical and Chemical Research/Panasonic Electric Works (略称: RIKEN/PEW)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 椿 健治 / Kenji Tsubaki / ツバキ ケンジ
第4著者 所属(和/英) 理化学研究所/パナソニック電工 (略称: 理研/パナソニック電工)
The Institute of Physical and Chemical Research/Panasonic Electric Works (略称: RIKEN/PEW)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 杉山 正和 / Masakazu Sugiyama / スギヤマ マサカズ
第5著者 所属(和/英) 東京大学 (略称: 東大)
Tokyo University (略称: Tokyo Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-11-18 13:35:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 ED2011-95, CPM2011-144, LQE2011-118 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) 
ページ範囲 pp.113-116 
ページ数
発行日 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) 


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