講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-11-18 13:35
ELO-AlNテンプレートを用いたSi基板上AlGaN系UV-LEDの256nm発光 ○美濃卓哉(理研/パナソニック電工)・平山秀樹(理研)・高野隆好・椿 健治(理研/パナソニック電工)・杉山正和(東大) ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118 エレソ技報アーカイブへのリンク:ED2011-95 CPM2011-144 LQE2011-118 |
抄録 |
(和) |
我々は,横方向成長法(ELO)により形成したAlNテンプレートを用いて,Si基板上に256-278nm帯で発光する深紫外発光ダイオード(深紫外LED)の作製に成功した.Si基板上のAlNテンプレートでは,通常,SiとAlNとの格子定数差,及び,熱膨張係数差の関係から,大きな引張応力が印加され,クラックの発生,及び,貫通転位密度(TDD)の増加が課題となっている.そこで,本研究では,ELOとアンモニアパルス多段成長法とを組み合わせた結果,クラックを抑制した,膜厚4umでTDDが低いELO-AlNテンプレートを開発した.さらに,このELO-AlN/Siテンプレート上に作製したAlGaN系深紫外LEDは,280nm以下の短波長をシングルピークで発光し,Si基板上の低コスト深紫外LEDの実現,さらには,Siを中心とした半導体回路と同じチップ上への搭載も期待される. |
(英) |
We demonstrated 256-278 nm AlGaN-based deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) on Si substrates by using epitaxial lateral overgrowth (ELO) AlN templates. A 4-um-thick ELO-AlN layer grown in a striped pattern along the <10-10> direction can be coalesced successfully. Low-threading-dislocation-density AlN templates were achieved on Si wafers by a combination of the ELO and NH3 pulsed-flow multilayer growth methods. Single-peaked AlGaN LEDs with wavelengths shorter than 280 nm were achieved by fabricating them on ELO-AlN templates on Si. These low-cost AlGaN-based DUV LEDs on Si substrates are expected to be integrated on the same chips with Si-based electrical circuits. |
キーワード |
(和) |
深紫外LED / Si基板 / ELO-AlNテンプレート / / / / / |
(英) |
DUV LEDs / Si substrates / ELO-AlN templates / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-118, pp. 113-116, 2011年11月. |
資料番号 |
LQE2011-118 |
発行日 |
2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
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