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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-18 09:55 ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察 ○井手公康・山本準一・岩谷素顕・竹内哲也・上山 智・赤サキ 勇（名城大）・天野 浩（名大）  ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 |
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| 抄録 | （和） | AlGaN系紫外発光素子は、UV-AからUV-Cの全領域で数%を超える高性能LEDが実現されつつあり、今後広く実用化することが期待されている。現在の紫外LEDはAlNテンプレート上に作製されているが、その上に形成されたAlGaNには圧縮応力による欠陥が導入される。今後、さらなる紫外LEDの高効率化を実現するためには、この欠陥の挙動を正確に把握し、それを制御することが非常に重要である。本研究では、ELOを用いて作製した高品質AlN上にAlGaNを形成し、その転位の挙動に関して観察した。特に本報告ではAlGaNの膜厚依存性に関して詳細に検討した。膜厚を厚くすることで界面付近に発生する転位に違いが見られたので、その結果について報告する。 |
| （英） | AlGaN-based ultraviolet light emitting device has been achieved as the high spec LED from UV-A to UV-C. It is widely expected to be commercialized in the future. Currently UV LED is being fabricated on AlN template but formed AlGaN on the AlN template introduces the defect by the AlGaN compressive stress. After time, to achieve high efficiency UV LED further, we know exactly the behavior of this defect and it is very important to control it. In this study, to form a high-quality AlGaN on AlN prepared using ELO. We observed about the behavior of dislocations in this sample. In particular this study, we discussed in detail about the thickness dependence of AlGaN . Since there were differences in the dislocation to occur near the interface by the film thickness,and report its results . | |
| キーワード | （和） | AlGaN / AlN / 転位 / TEM / 緩和 / / / |
| （英） | AlGaN / AlN / dislocation / TEM / relaxation / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 292, LQE2011-112, pp. 81-85, 2011年11月. | |
| 資料番号 | LQE2011-112 | |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-89 CPM2011-138 LQE2011-112 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE ED CPM |
| 開催期間 | 2011-11-17 - 2011-11-18 |
| 開催地（和） | 京都大学桂キャンパス 桂ホール |
| 開催地（英） | Katsura Hall，Kyoto Univ. |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電子デバイス・材料，関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-11-LQE-ED-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ELO-AlN上AlGaNの微細構造観察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Microstructural observation of AlGaN on ELO-AlN |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(2)（和/英） | AlN / AlN |
| キーワード(3)（和/英） | 転位 / dislocation |
| キーワード(4)（和/英） | TEM / TEM |
| キーワード(5)（和/英） | 緩和 / relaxation |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井手 公康 / Kimiyasu Ide / イデ キミヤス |
| 第1著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 準一 / Junichi Yamamoto / ヤマモト ジュンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya / イワヤ モトアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi / タケウチ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama / カミヤマ サトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤サキ 勇 / Isamu Akasaki / アカサキ イサム |
| 第6著者 所属（和/英） | 名城大学 (略称： 名城大) Meijo University (略称： Meijo Univ.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-18 09:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | ED2011-89, CPM2011-138, LQE2011-112 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.290(ED), no.291(CPM), no.292(LQE) |
| ページ範囲 | pp.81-85 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-11-10 (ED, CPM, LQE) |
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