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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-11-25 14:00 RCはしご型熱メモリ効果補償回路を適用したHBT増幅器のひずみ解析およびその補償回路パラメータの決定法 ○石川 亮・木村淳一・本城和彦（電通大）  MW2011-122 |
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| 抄録 | （和） | 通信用マイクロ波高出力電力増幅器に関し，HBT 増幅器の熱メモリ効果補償回路の回路パラメータを解析的に決定する方法について述べる．増幅器において，トランジスタの自己発熱現象がチップ内真性部近傍の多段熱RthCth はしご型回路で表現されるため，それを補償するための電気的メモリ効果を多段RC はしご型回路で発生させている．解析では，HBT 素子のVBIC 大信号モデルに対して，テイラー展開を基に電気的項と熱的項の両者を考慮して非線形項を表現し，補償条件を導き，多段RC はしご型回路のパラメータを算出している．得られた解析結果が，1.95 GHz 帯InGaP/GaAs HBT 増幅器での実験結果の傾向を良く表していることを確認した． |
| （英） | An analytical design method based on Taylor series including both electrical effects and thermal effects is presented for compensating thermal memory effects in microwave HBT power ampli ers. By using an electrical memory-effect-generation circuit consisting of a multi-stage RC ladder network, the thermal memory effect is directly canceled. Analytical formulas for this canceling condition and circuit parameters have been successfully derived. The validity of the proposed analytical method has been shown for an InGaP/GaAs HBT power amplifier operating at 1.95 GHz. The analytical design results are in good agreement with measured results. | |
| キーワード | （和） | マイクロ波 / 電力増幅器 / ひずみ補償 / 熱メモリ効果 / ひずみ解析 / / / |
| （英） | microwave / power amplifier / distortion compensation / thermal memory effect / distortion analysis / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 313, MW2011-122, pp. 53-58, 2011年11月. | |
| 資料番号 | MW2011-122 | |
| 発行日 | 2011-11-17 (MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MW2011-122 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
| 開催期間 | 2011-11-24 - 2011-11-25 |
| 開催地（和） | 与那国島（久部良多目的集会施設） |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | マイクロ波一般 |
| テーマ（英） | Microwave Technologies |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MW |
| 会議コード | 2011-11-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RCはしご型熱メモリ効果補償回路を適用したHBT増幅器のひずみ解析およびその補償回路パラメータの決定法 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Distortion Analysis of HBT Amplifier Applying RC-Ladder Thermal Memory Effect Compensation Circuit, and Parameter Determination Method of the Circuit |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ波 / microwave |
| キーワード(2)（和/英） | 電力増幅器 / power amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | ひずみ補償 / distortion compensation |
| キーワード(4)（和/英） | 熱メモリ効果 / thermal memory effect |
| キーワード(5)（和/英） | ひずみ解析 / distortion analysis |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa / イシカワ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木村 淳一 / Junichi Kimura / キムラ ジュンイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo / ホンジョウ カズヒコ |
| 第3著者 所属（和/英） | 電気通信大学 (略称： 電通大) The University of Electro-Communications (略称： UEC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-11-25 14:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | MW |
| 資料番号 | MW2011-122 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.313 |
| ページ範囲 | pp.53-58 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-11-17 (MW) |
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