講演抄録/キーワード |
講演名 |
2011-12-15 16:10
[ポスター講演]50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究 ○樋口和英・宮地幸祐・上口 光・竹内 健(東大) ICD2011-116 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-116 |
抄録 |
(和) |
抵抗変化型メモリは低消費電力かつスケーラビリティに優れ,CMOSプロセスとの親和性が高くサブ20nm不揮発性メモリの有力な候補である.50nm級の抵抗変化型メモリは高抵抗状態および低抵抗状態のばらつきが大きいため抵抗を制御するためのベリファイプログラミングが必要であることが測定から分かった.本報告では書き換え回数を向上させつつ最短のアクセス時間を同時に達成するための手法と測定結果からデバイスモデルを提案する. |
(英) |
Resistive memory is the promising candidate for sub-20nm nonvolatile memory owing to low switching current, high scalability, process compatibility with CMOS technologies, simple structure and high speed switching properties. Resistive memory requires a verify-programming that precisely controls the resistance because the resistive variations of high resistance state and low resistance state are large. This paper proposes a combination of turnback pulse voltage and width method which achieves 50-times higher endurance and shortest access time at the same time. |
キーワード |
(和) |
抵抗変化型メモリ / ベリファイプログラミング / / / / / / |
(英) |
ReRAM / Verify-Programming / / / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 352, ICD2011-116, pp. 75-80, 2011年12月. |
資料番号 |
ICD2011-116 |
発行日 |
2011-12-08 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
PDFダウンロード |
ICD2011-116 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2011-116 |
研究会情報 |
研究会 |
ICD |
開催期間 |
2011-12-15 - 2011-12-16 |
開催地(和) |
大阪大学会館 |
開催地(英) |
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テーマ(和) |
学生・若手技術者育成のための研究会 |
テーマ(英) |
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講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2011-12-ICD |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
50nm抵抗変化型メモリにおける耐久性向上書き換え手法の研究 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
Endurance enhancement programming method for 50nm resistive random access memory (ReRAM) |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
抵抗変化型メモリ / ReRAM |
キーワード(2)(和/英) |
ベリファイプログラミング / Verify-Programming |
キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
樋口 和英 / Kazuhide Higuchi / ヒグチ カズヒデ |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮地 幸祐 / Kousuke Miyaji / ミヤジ コウスケ |
第2著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
上口 光 / Koh Johguchi / ジョウグチ コウ |
第3著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
第4著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
The University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2011-12-15 16:10:00 |
発表時間 |
110分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
ICD2011-116 |
巻番号(vol) |
vol.111 |
号番号(no) |
no.352 |
ページ範囲 |
pp.75-80 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2011-12-08 (ICD) |