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講演抄録/キーワード
講演名 2011-12-16 15:25
アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討
カン ジュンヒョン渥美裕樹小田 学西山伸彦荒井滋久東工大OPE2011-146
抄録 (和) LSIの高速化の限界を乗り越えるため、シリコンフォトニクスを用いた光インターコネクト技術が注目を浴びている。アモルファスシリコン(a-Si)はplasma-enhanced chemical-vapor-deposition (PECVD)法により300°C程度と比較的低温での成膜が可能であり、LSIの電子回路とバックエンドプロセスでの融合が容易である。また、a-SiとSiO2の積層構造は高密度集積回路としても有効である。本研究ではSOI基板上に3層までの多層導波路を作製・評価することにより、a-Si導波路の伝搬損失と表面及び側壁粗さとの関係を明らかにし、材料損失ではなく粗さの大きさに強く影響を受けることを示した。さらに両者の粗さを低減させることにより、3層目の a-Si導波路でも3.7 dB/cmの低損失化を実現した。 
(英) Silicon photonics is a promising candidate as an on-chip interconnection in LSIs. a-Si can be deposited under 300°C by PECVD, which satisfies back-end process compatibility with current CMOS technology. In addition vertically stacked a-Si layers paired with SiO2 provide high density 3D optical circuit. In this paper, we fabricated multi-layer a-Si waveguides up to 3rd layer and revealed the relationship between the propagation loss and roughnesses. By reducing surface and sidewall roughnesses of each waveguide, the low propagation loss of 3.7 dB/cm for the 3rd layer a-Si waveguides was demonstrated.
キーワード (和) シリコンフォトニクス / アモルファスシリコン / 多層導波路 / / / / /  
(英) Silicon Photonics / Amorphous silicon / Multilayer waveguide / / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 358, OPE2011-146, pp. 27-32, 2011年12月.
資料番号 OPE2011-146 
発行日 2011-12-09 (OPE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード OPE2011-146

研究会情報
研究会 OPE  
開催期間 2011-12-16 - 2011-12-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 光パッシブコンポネント(フィルタ、コネクタ、MEMS)、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 OPE 
会議コード 2011-12-OPE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) アモルファスシリコンを用いた多層光導波路作製法の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Fabrication process of multi-layered amorphous silicon wire waveguides 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) シリコンフォトニクス / Silicon Photonics  
キーワード(2)(和/英) アモルファスシリコン / Amorphous silicon  
キーワード(3)(和/英) 多層導波路 / Multilayer waveguide  
キーワード(4)(和/英) /  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) カン ジュンヒョン / JoonHyun Kang / カン ジュンヒョン
第1著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 渥美 裕樹 / Yuki Atsumi / アツミ ユウキ
第2著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 小田 学 / Manabu Oda / オダ マナブ
第3著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ
第4著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ
第5著者 所属(和/英) 東京工業大学 (略称: 東工大)
Tokyo Institute of Technology (略称: Titech)
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講演者 第1著者 
発表日時 2011-12-16 15:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 OPE 
資料番号 OPE2011-146 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.358 
ページ範囲 pp.27-32 
ページ数
発行日 2011-12-09 (OPE) 


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