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| 講演名 | 2011-12-16 16:20 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討 ○長部 亮・福田渓太・林 侑介・西山伸彦・荒井滋久（東工大）  LQE2011-133 |
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| 抄録 | （和） | 次世代大規模光集積回路に向けたシリコンフォトニクス用の光源として、III-V族化合物半導体とシリコンとのハイブリッドデバイスの研究が盛んになされている。今回、高効率ハイブリッドレーザの実現に向けて、低温下での直接貼り付けを可能にする表面活性化接合法を用いたSi上500nm厚GaInAsP薄膜構造形成技術の確立と、高効率電流注入動作に向けて、AlInAs酸化狭窄層を有するハイブリッドレーザ構造を提案し、その構造設計を行った。Si導波路上GaInAsP薄膜のフォトルミネセンス測定より、従来のレーザ用ウェーハと同程度の半値全幅38.2meVおよび導波路近傍の強度分布90±10%を得た。AlInAs酸化狭窄型ハイブリッドレーザの設計については、適切な酸化幅の設計を行うとともに、貼り付け基板上での酸化プロセスの実証を行い、高効率貼り付けレーザ実現の可能性を示した。 |
| （英） | To introduce an optical gain into photonic integrated circuits on a Si platform, it is very attractive to utilize hybrid integration of III-V compound semiconductors. In this paper, we report on the bonding properties of a 500-nm-thick GaInAsP membrane structure bonded to Si, by the Surface Activated Bonding technology, and structural design of the hybrid laser with an AlInAs oxidation current confinement layer for highly efficient current injection. The full width at half maximum of the photoluminescence (PL) of the GaInAsP membrane structure on the Si waveguide was 38.2 meV, which is comparable to that of conventional OWs, and the PL peak intensity distribution was within the range of 90±10%. We also calculated the proper oxide width of the AlInAs oxidation type hybrid laser and tried to demonstrate the oxidation process with the bonded wafer. | |
| キーワード | （和） | 表面活性化接合 / ハイブリッドレーザ / 酸化狭窄 / シリコンフォトニクス / / / / |
| （英） | Surface Activated Bonding / hybrid laser / oxidation current blocking / silicon photonics / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 359, LQE2011-133, pp. 49-54, 2011年12月. | |
| 資料番号 | LQE2011-133 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2011-133 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 半導体レーザ関連技術，及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2011-12-LQE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 表面活性化接合によるAlInAs酸化狭窄型GaInAsP/Siハイブリッドレーザの検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | GaInAsP/Si hybrid laser with AlInAs oxidation current confinement layer by Surface Activated Bonding |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面活性化接合 / Surface Activated Bonding |
| キーワード(2)（和/英） | ハイブリッドレーザ / hybrid laser |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化狭窄 / oxidation current blocking |
| キーワード(4)（和/英） | シリコンフォトニクス / silicon photonics |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 長部 亮 / Ryo Osabe / オサベ リョウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 福田 渓太 / Keita Fukuda / フクダ ケイタ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 侑介 / Yusuke Hayashi / ハヤシ ユウスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西山 伸彦 / Nobuhiko Nishiyama / ニシヤマ ノブヒコ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 荒井 滋久 / Shigehisa Arai / アライ シゲヒサ |
| 第5著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： Tokyo Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 16:20:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2011-133 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.359 |
| ページ範囲 | pp.49-54 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-12-09 (LQE) |
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