| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2011-12-16 15:50
10Gbps高消光比MZ型シリコン光変調器 ○五井一宏・小川憲介・Yong-Tsong Tan(フジクラ)・Tsung-Yang Liow・Xiaoguang Tu・Qing Fang・Guo-Qiang Lo・Dim-Lee Kwong(IME) OPE2011-147 |
| 抄録 |
(和) |
Mach-Zehnder型シリコン光変調器の設計,及び作製したデバイスでの10Gbpsでの強度変調,差動位相偏移変調動作について報告する.位相変調部の最適化を行い,高速動作の妨げとなるRC結合を低減させたシリコン光変調器を作製した.変調信号のアイパターン測定を行い,10.3-12.5Gbpsで10dB以上の消光比を得た.また,プッシュプル駆動で強度変調及び二値位相偏移変調を行い,変調信号のコヒーレント受信により周波数チャープを抑えた変調が可能であることを確認した. |
| (英) |
The design of silicon Mach-Zehnder modulator and measurement of 10Gbps OOK and BPSK is reported. The phase shifter was designed for reducing RC coupling, which limits high speed response of modulator. The device was fabricated by CMOS compatible process. In the measurement in NRZ-OOK, more than 10dB extinction ratio were observed at 10.3-12.5Gbps. We also show low-chirp modulation in NRZ-OOK and BPSK with push-pull operation by coherent detection. |
| キーワード |
(和) |
シリコンフォトニクス / 光変調器 / 位相変調 / / / / / |
| (英) |
silicon photonics / optical modulator / phase shift keying / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 111, no. 358, OPE2011-147, pp. 33-38, 2011年12月. |
| 資料番号 |
OPE2011-147 |
| 発行日 |
2011-12-09 (OPE) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
| PDFダウンロード |
OPE2011-147 |