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| 講演名 | 2011-12-16 13:05 接合型トランジスタの動作説明に関する新理論 ～ 「トランジスタ光動説」の提案 ～ ○岡本研正（香川大）  OPE2011-141 |
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| 抄録 | （和） | 1948年，米国ベル研究所のショックレーは接合型トランジスタを発明し，その前年に点接触型トランジスタを発明した同研究所のバーディーン，ブラッテンとともに1956年度ノーベル物理学賞を受賞した。その後接合トランジスタは実用化され1970年頃からはIC化されて様々な電子機器や通信機器，コンピュータなどの情報処理装置で大量に使用されるようになり今日の情報化社会をもたらした。バイポーラ接合型トランジスタの動作原理に関してはショックレーが唱えた初期の理論が，60数年を経た今日でも語り継がれ学校等で教えられている。この理論は，接合トランジスタすなわちPNP及びNPNトランジスタの動作を電子と正孔のふるまいでもって説明するものである。この従来説（本論文では電動説と記す）に対し、接合トランジスタ動作はその内部のPN接合とNP接合間での発光作用と受光作用により十分説明できるという新説，「トランジスタ光動説」を筆者は最近考案した。本論文ではこの新理論について述べる。 |
| （英） | Bipolar junction transistor, such as PNP and NPN transistor, was invented by W. B. Schockley in 1948. And since the birth of transistor, the opration of such biploar transisitors have been explained by the behavior of electrons and positive holes in the semiconductor material for more than sixty years. In contradiction to this conventional theory with respect to the junction transistor, the author has dared to establish a novel hypothesis in this paper that the opration of transistor can be explained by light emission and photovoltaic effect at the PN and NP junctions in the transistor. As the evidences for the new hypothesis, various light emission phenomena in silicon photodiodes and transistors, photovoltaic effect of silicon transistor chip and an original amplifier excluding any transisitor will be presented in this paper. | |
| キーワード | （和） | トランジスタ / 接合型トランジスタ / 光起電力効果 / 発光ダイオード / フォトダイオード / / / |
| （英） | Transistor / Junction Transistor / Photovoltaic Effect / Light-emitting diode / LED / Photodiode / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 358, OPE2011-141, pp. 1-6, 2011年12月. | |
| 資料番号 | OPE2011-141 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (OPE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OPE2011-141 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 光パッシブコンポネント（フィルタ、コネクタ、MEMS）、シリコンフォトニクス、光ファイバ、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2011-12-OPE |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 接合型トランジスタの動作説明に関する新理論 |
| サブタイトル（和） | 「トランジスタ光動説」の提案 |
| タイトル（英） | Novel Theory for Operation of PNP and NPN Transistors |
| サブタイトル（英） | Explanation using Internal Photovoltaic Effect Model |
| キーワード(1)（和/英） | トランジスタ / Transistor |
| キーワード(2)（和/英） | 接合型トランジスタ / Junction Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | 光起電力効果 / Photovoltaic Effect |
| キーワード(4)（和/英） | 発光ダイオード / Light-emitting diode |
| キーワード(5)（和/英） | フォトダイオード / LED |
| キーワード(6)（和/英） | / Photodiode |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡本 研正 / Kensho Okamoto / オカモト ケンショウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 香川大学 (略称： 香川大) Kagawa University (略称： Kagawa Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 13:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OPE2011-141 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.358 |
| ページ範囲 | pp.1-6 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-12-09 (OPE) |
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