ご案内 入会して研究会活動をもっとお得に!研究会参加費・年間登録費が会員価格になります。
お知らせ 【重要】研究会参加費の支払いおよび原稿アップロード手続きの変更に関するご案内
電子情報通信学会 研究会発表申込システム
講演論文 詳細
技報閲覧サービス
[ログイン]
技報アーカイブ
 トップに戻る 前のページに戻る   [Japanese] / [English] 

講演抄録/キーワード
講演名 2011-12-16 11:20
高温(220℃)における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振
影山健生QDレーザ)・西 研一QDレーザ/東大)・山口正臣富士通研)・持田励雄QDレーザ/東大)・前多泰成武政敬三QDレーザ)・田中 有富士通研)・山本剛之QDレーザ/富士通研/東大)・菅原 充QDレーザ/東大)・荒川泰彦東大LQE2011-126
抄録 (和) 高温環境下での半導体レーザ発振動作は,厳しい条件下(宇宙,地中)でのセンシング等実現のために重要であり、特に波長が長波長帯であれば,石英ファイバと組み合わせた伝送,センシングも可能となるため,資源探索等での更なる展開も期待される.量子ドットレーザは,優れた温度安定性を有するため,通信用光源等への実用化が開始されている.我々は,これまでのMBE成長したInAs/GaAs量子ドットの高密度を損なうことなく均一性を改善し,220°Cの高温においても,長波長帯における連続発振動作を実現した. 
(英) High temperature lasing operation of semiconductor lasers is important to realize sensing and data transmission at harsh environments like space or deep underground. In addition, the combination of a high temperature-resistant long-wavelength laser and an optical fiber is attractive to expand the field of application such as source exploration. Temperature dependence of the threshold current of a semiconductor laser can be drastically reduced by employing quantum-dot (QD) active layers, and recently QD lasers are applied to the light source such as telecom applications. Here we realized extremely high temperature up to 220°C continuous-wave (CW) operation of long-wavelength lasers by employing high-density, highly uniform InAs/GaAs quantum dot technology.
キーワード (和) 量子ドット / MBE / 高温 / 長波長帯 / 半導体レーザ / / /  
(英) quantum dot / MBE / high-temperature / long-wavelength / semiconductor laser diode / / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 359, LQE2011-126, pp. 17-20, 2011年12月.
資料番号 LQE2011-126 
発行日 2011-12-09 (LQE) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード LQE2011-126

研究会情報
研究会 LQE  
開催期間 2011-12-16 - 2011-12-16 
開催地(和) 機械振興会館 
開催地(英) Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. 
テーマ(和) 半導体レーザ関連技術,及び一般 
テーマ(英)  
講演論文情報の詳細
申込み研究会 LQE 
会議コード 2011-12-LQE 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 高温(220℃)における1300 nm帯量子ドットレーザの連続発振 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) High-Temperature (220℃) CW Operation of 1300-nm-range Quantum Dot Laser 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 量子ドット / quantum dot  
キーワード(2)(和/英) MBE / MBE  
キーワード(3)(和/英) 高温 / high-temperature  
キーワード(4)(和/英) 長波長帯 / long-wavelength  
キーワード(5)(和/英) 半導体レーザ / semiconductor laser diode  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 影山 健生 / Takeo Kageyama / カゲヤマ タケオ
第1著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QD Laser)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 西 研一 / Kenichi Nishi / ニシ ケンイチ
第2著者 所属(和/英) (株)QDレーザ/東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 (略称: QDレーザ/東大)
QD Laser, Inc./Institute for Nano Quantum Information Electronics, the University of Tokyo (略称: QD Laser/Univ. of Tokyo)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 山口 正臣 / Masaomi Yamaguchi / ヤマグチ マサオミ
第3著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 持田 励雄 / Reio Mochida / モチダ レイオ
第4著者 所属(和/英) (株)QDレーザ/東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 (略称: QDレーザ/東大)
QD Laser, Inc./Institute for Nano Quantum Information Electronics, the University of Tokyo (略称: QD Laser/Univ. of Tokyo)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) 前多 泰成 / Yasunari Maeda / マエダ ヤスナリ
第5著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QD Laser)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 武政 敬三 / Keizo Takemasa / タケマサ ケイゾウ
第6著者 所属(和/英) (株)QDレーザ (略称: QDレーザ)
QD Laser, Inc. (略称: QD Laser)
第7著者 氏名(和/英/ヨミ) 田中 有 / Yu Tanaka / タナカ ユウ
第7著者 所属(和/英) (株)富士通研究所 (略称: 富士通研)
Fujitsu Laboratories Ltd. (略称: Fujitsu Lab.)
第8著者 氏名(和/英/ヨミ) 山本 剛之 / Tsuyoshi Yamamoto / ヤマモト ツヨシ
第8著者 所属(和/英) (株)QDレーザ/(株)富士通研究所/東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 (略称: QDレーザ/富士通研/東大)
QD Laser, Inc./Fujitsu Laboratories Ltd./Institute for Nano Quantum Information Electronics, the University of Tokyo (略称: QD Laser/Fujitsu Lab./Univ. of Tokyo)
第9著者 氏名(和/英/ヨミ) 菅原 充 / Mitsuru Sugawara / スガワラ ミツル
第9著者 所属(和/英) (株)QDレーザ/東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構 (略称: QDレーザ/東大)
QD Laser, Inc./Institute for Nano Quantum Information Electronics, the University of Tokyo (略称: QD Laser/Univ. of Tokyo)
第10著者 氏名(和/英/ヨミ) 荒川 泰彦 / Yasuhiko Arakawa / アラカワ ヤスヒコ
第10著者 所属(和/英) 東京大学ナノ量子情報エレクトロニクス研究機構/東京大学生産技術研究所 (略称: 東大)
Institute for Nano Quantum Information Electronics, The University of Tokyo/Instutute of Industrial Science, the University of T (略称: Univ. of Tokyo)
第11著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第11著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第12著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第12著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第13著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第13著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第14著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第14著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第15著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第15著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第16著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第16著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第17著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第17著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第18著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第18著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第19著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第19著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第20著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第20著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第21著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第21著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第22著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第22著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第23著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第23著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第24著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第24著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第25著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第25著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第26著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第26著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第27著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第27著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第28著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第28著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第29著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第29著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第30著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第30著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第31著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第31著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第32著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第32著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第33著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第33著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第34著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第34著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第35著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第35著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
第36著者 氏名(和/英/ヨミ) / /
第36著者 所属(和/英) (略称: )
(略称: )
講演者 第1著者 
発表日時 2011-12-16 11:20:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 LQE 
資料番号 LQE2011-126 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.359 
ページ範囲 pp.17-20 
ページ数
発行日 2011-12-09 (LQE) 


[研究会発表申込システムのトップページに戻る]

[電子情報通信学会ホームページ]


IEICE / 電子情報通信学会