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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-16 10:40 SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 ○高上稔充・矢野裕司・畑山智亮・冬木 隆（奈良先端大）  SDM2011-134 |
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| 抄録 | （和） | MOSデバイス特性を左右する界面準位に対し、我々はこれまでにPOCl3アニールによりリンを界面に導入することで、SiO2/ n型4H-SiCの界面準位密度の低減に成功している。良好なp型SiCのMOS界面特性の実現は、IGBTなどの次世代デバイスに必須の技術として期待される。しかし、これまでのところp型SiC-MOS界面に関する報告は少ない。そこで今回は、p型4H-SiCのMOSキャパシタを作製し、POCl3アニールの効果を調査した。その結果、n型と異なりp型4H-SiCのMOS界面では、リンによる界面特性の改善効果は見られなかった。 |
| （英） | We have already reported that the interface state density for n-type 4H-SiC MOS structures can be greatly reduced by POCl3 annealing. Realization of high-quality interface for p-type 4H-SiC MOS structures is a key technology for the next-generation power devices such as IGBTs. However, there are limited numbers of reports for p-type 4H-SiC MOS interface properties. In this study, we have fabricated p-type 4H-SiC MOS capacitors and examined the effect of POCl3 annealing on SiO2/p-type 4H-SiC interface properties. It is found that the phosphorus introduced at the interface does not improve interface properties for p-type 4H-SiC MOS capacitors. | |
| キーワード | （和） | 4H-SiC / POCl3アニール / MOS / p型 / リン / / / |
| （英） | 4H-SiC / POCl3 anneal / MOS / p-type / phosphorus / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 357, SDM2011-134, pp. 11-15, 2011年12月. | |
| 資料番号 | SDM2011-134 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-134 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | SiO2/p型4H-SiC界面特性におけるPOCl3アニールの効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of POCl3 Annealing on SiO2/p-type 4H-SiC Interface properties |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 4H-SiC / 4H-SiC |
| キーワード(2)（和/英） | POCl3アニール / POCl3 anneal |
| キーワード(3)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(4)（和/英） | p型 / p-type |
| キーワード(5)（和/英） | リン / phosphorus |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高上 稔充 / Toshimitsu Takaue / タカウエ トシミツ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大額 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢野 裕司 / Hiroshi Yano / ヤノ ヒロシ |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大額 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑山 智亮 / Tomoaki Hatayama / ハタヤマ トモアキ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大額 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 冬木 隆 / Takashi Fuyuki / フユキ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大額 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 10:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-134 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.11-15 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) |
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