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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-16 16:40 DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性 ○高城祥吾・松尾直人・山名一成・部家 彰・高田忠雄（兵庫県立大）・横山 新（広島大）  SDM2011-147 |
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| 抄録 | （和） | SOI基板を用いて、100nmのギャップを持つソース/ドレイン電極間を繋ぐように形成したＤＮＡ分子の電荷保持特性を調査した．FET DNAのドレイン電流の増加は、Id- Vd特性測定毎に観測された．私たちはこの現象の理由を次のように推測した。n+ドレイン電極から放出される正孔電流は、DNA分子内での電子のトラップにより増加する．しかしながら、すべてのフェルミエネルギーよりも大きな電子は、負のゲート電圧を印加することでDNA分子からデトラップされる．その結果、DNA FETのId- Vd特性が回復した． |
| （英） | The charge retention characteristics of the DNA molecules which are fabricated and bridged between the source/drain electrodes with 100nm-gap using the SOI substrates were examined. The drain current increase of the DNA FET was observed at every measurement of Id-Vd characteristics. We inferred the reason of this phenomenon as follows. The hole current emitted from the n+ drain electrode increases due to the trap of electron at the DNA molecules. However, the electron which energy becomes larger than the Fermi energy is detraped from the DNA molecules by the negative gate voltage application. Thus, the Id-Vd characteristics of the DNA FET were recovered. | |
| キーワード | （和） | DNA / FET / Si / トラップ / デトラップ / / / |
| （英） | DNA / FET / Si / Trap / Detrap / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 357, SDM2011-147, pp. 83-85, 2011年12月. | |
| 資料番号 | SDM2011-147 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-147 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | DNA電界効果トランジスタの電荷保持特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Charge Retentivity of DNAFET |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | DNA / DNA |
| キーワード(2)（和/英） | FET / FET |
| キーワード(3)（和/英） | Si / Si |
| キーワード(4)（和/英） | トラップ / Trap |
| キーワード(5)（和/英） | デトラップ / Detrap |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高城 祥吾 / Shogo Takagi / タカギ ショウゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松尾 直人 / Naoto Matsuo / マツオ ナオト |
| 第2著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山名 一成 / Kazushige Yamana / ヤマナ カズシゲ |
| 第3著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 部家 彰 / Akira Heya / ヘヤ アキラ |
| 第4著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高田 忠雄 / Tadao Takada / タカダ タダオ |
| 第5著者 所属（和/英） | 兵庫県立大学 (略称： 兵庫県立大) University of Hyogo (略称： Univ of Hyogo) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 新 / Shin Yokoyama / ヨコヤマ シン |
| 第6著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) University of Hyogo (略称： Hiroshima Univ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 16:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-147 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.83-85 |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) |
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