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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2011-12-16 16:20 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性 ○森 誠悟・森岡直也・須田 淳・木本恒暢（京大）  SDM2011-146 |
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| 抄録 | （和） | 強束縛近似法を用いて，長方形断面を有する[001]および[110]Siナノワイヤの伝導帯構造を計算し，断面形状の違いによるバンド構造の変化を検討した．バルクSiのフルバンド分散との比較解析により，一辺が4 nm以上の断面をもつナノワイヤのサブバンド構造を，バルクSi伝導帯の非放物線性に基づいて定量的に説明できた．また，両辺が3 nm以下の断面を有する[110]方向のナノワイヤでは，縮退した谷の分裂によって有効質量が減少し，この効果は断面形状に大きく依存することを見出した．このようなサイズの[110]ナノワイヤをnチャネルとして用いることで，MOSFETの性能向上が期待できる． |
| （英） | We calculated the conduction band structures of [001]- and [110]-oriented Si nanowires with rectangular cross section using a tight-binding approximation and investigated the dependence of the band structures on those cross-sectional shapes. By comparing them with the full-band distribution of bulk Si, the subband structures of Si nanowires with the width over 4 nm can be quantitatively explained by nonparabolicity of the conduction band of bulk Si. In addition, the effective mass of very narrow (< 3 nm) [110] nanowires is decreased by a valley splitting and it depends on the cross sectional shapes of the nanowires. It is expected that n-MOSFETs with such nanowires have superior characteristics. | |
| キーワード | （和） | Siナノワイヤ / 強束縛近似法 / 伝導帯 / 非放物線性 / 有効質量 / 谷分裂 / / |
| （英） | Si Nanowire / Tight-Binding Approximation / Conduction Band / Nonparabolicity / Effective Mass / Valley Splitting / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 357, SDM2011-146, pp. 77-82, 2011年12月. | |
| 資料番号 | SDM2011-146 | |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-146 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2011-12-16 - 2011-12-16 |
| 開催地（和） | 奈良先端科学技術大学院大学 |
| 開催地（英） | NAIST |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価 |
| テーマ（英） | Fabrication and Evaluation of Silicon related Materials |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2011-12-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 長方形断面Siナノワイヤの伝導帯構造の断面形状およびサイズ依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Shape and Size Effects on Conduction Band Structure of Si Nanowires with Rectangular Cross Section |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Siナノワイヤ / Si Nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | 強束縛近似法 / Tight-Binding Approximation |
| キーワード(3)（和/英） | 伝導帯 / Conduction Band |
| キーワード(4)（和/英） | 非放物線性 / Nonparabolicity |
| キーワード(5)（和/英） | 有効質量 / Effective Mass |
| キーワード(6)（和/英） | 谷分裂 / Valley Splitting |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森 誠悟 / Seigo Mori / モリ セイゴ |
| 第1著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森岡 直也 / Naoya Morioka / モリオカ ナオヤ |
| 第2著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 須田 淳 / Jun Suda / スダ ジュン |
| 第3著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto / キモト ツネノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 京都大学 (略称： 京大) Kyoto University (略称： Kyoto Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2011-12-16 16:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-146 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.357 |
| ページ範囲 | pp.77-82 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2011-12-09 (SDM) |
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