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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-01-11 14:05 フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード ○望月和浩（日立）・野本一貴・畠山義智・片寄秀雄（法政大）・三島友義・金田直樹・土屋忠巌（日立電線）・寺野昭久・石垣隆士・土屋朋信・土屋龍太（日立）・中村 徹（法政大）  ED2011-125 MW2011-148 |
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| 抄録 | （和） | Photon recycling was used to increase ionization of Mg in GaN p+n diodes by reducing anode radius down to 20 microns. The resultant temperature-independent (273−373 K), low on-resistance is a promising characteristic for fast freewheeling diodes. |
| （英） | Photon recycling was used to increase ionization of Mg in GaN p+n diodes by reducing anode radius down to 20 microns. The resultant temperature-independent (273−373 K), low on-resistance is a promising characteristic for fast freewheeling diodes. | |
| キーワード | （和） | フォトン・リサイクリング / GaN / 自立基板 / ダイオード / Mg / イオン化率 / 伝導度変調 / キャリア寿命 |
| （英） | photon recycling / GaN / free-standing substrate / diode / Mg / ionization ratio / conductivity modulation / carrier lifetime | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 373, ED2011-125, pp. 35-40, 2012年1月. | |
| 資料番号 | ED2011-125 | |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-125 MW2011-148 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2012-01-11 - 2012-01-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | フォトン・リサイクリングGaN p+nダイオード |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photon-recycling GaN p+n Diodes |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | フォトン・リサイクリング / photon recycling |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 自立基板 / free-standing substrate |
| キーワード(4)（和/英） | ダイオード / diode |
| キーワード(5)（和/英） | Mg / Mg |
| キーワード(6)（和/英） | イオン化率 / ionization ratio |
| キーワード(7)（和/英） | 伝導度変調 / conductivity modulation |
| キーワード(8)（和/英） | キャリア寿命 / carrier lifetime |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 望月 和浩 / Kazuhiro Mochizuki / モチヅキ カズヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 野本 一貴 / Kazuki Nomoto / ノモト カズキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畠山 義智 / Yoshitomo Hatakeyama / ハタケヤマ ヨシトモ |
| 第3著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 片寄 秀雄 / Hideo Katayose / カタヨセ ヒデオ |
| 第4著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 日立電線 (略称： 日立電線) Hitachi Cable, Ltd. (略称： Hitachi Cable, Ltd.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 直樹 / Naoki Kaneda / カネダ ナオキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 日立電線 (略称： 日立電線) Hitachi Cable, Ltd. (略称： Hitachi Cable, Ltd.) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 忠巌 / Tadayoshi Tsuchiya / ツチヤ タダヨシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 日立電線 (略称： 日立電線) Hitachi Cable, Ltd. (略称： Hitachi Cable, Ltd.) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 寺野 昭久 / Akihisa Terano / テラノ アキヒサ |
| 第8著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石垣 隆士 / Takashi Ishigaki / イシガキ タカシ |
| 第9著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 朋信 / Tomonobu Tsuchiya / ツチヤ トモノブ |
| 第10著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | 土屋 龍太 / Ryuta Tsuchiya / ツチヤ リュウタ |
| 第11著者 所属（和/英） | 日立製作所 (略称： 日立) Hitachi, Ltd. (略称： Hitachi, Ltd.) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中村 徹 / Tohru Nakamura / ナカムラ トオル |
| 第12著者 所属（和/英） | 法政大学 (略称： 法政大) Hosei University (略称： Hosei Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-01-11 14:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-125, MW2011-148 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.373(ED), no.374(MW) |
| ページ範囲 | pp.35-40 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) |
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