| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-01-12 13:40 AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 ○畑野舞子・山崎 潤（福井大）・矢船憲成（シャープ）・徳田博邦（福井大）・山本喜之・橋本 信・秋田勝史（住友電工）・葛原正明（福井大）  ED2011-135 MW2011-158 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-135 MW2011-158 |
|
| 抄録 | （和） | 自立AlN基板上に作製したAlGaNチャネルHEMTの室温から300度までの電子輸送特性の温度依存性を評価した。温度上昇に伴う飽和ドレイン電流の低下率は、チャネル層のAlGaNのAl組成が高くなるほど小さくなった。Al0.26Ga0.74NチャネルHEMTの温度依存性は、主に実効チャネル電子速度に支配されていることが明らかとなった。これらの結果は、高温下で動作するデバイスとして、AlN基板上AlGaNチャネルHEMTが有望であることを示している。 |
| （英） | We fabricated AlGaN-channel HEMT on a free-standing AlN substrate and estimated their electron transport properties at temperatures between 25 and 300 degree C. Decrease ratio of saturation drain current was small with increasing an Al composition of AlGaN channel. Delay time analyses suggested that the temperature dependence of the Al0.26Ga0.74N -channel HEMT was primarily dominated by the effective electron velocity in the channel. These results indicate that AlGaN-channel HEMTs grown on an AlN substrate is promising for high-temperature electronics applications at more than 300 ºC. | |
| キーワード | （和） | AlGaNチャネル / HEMT / 高温動作 / 高周波特性 / 実効電子速度 / / / |
| （英） | AlGaN channel / HEMT / high-temperature operation / RF characteristics / effective electron velocity / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 373, ED2011-135, pp. 91-95, 2012年1月. | |
| 資料番号 | ED2011-135 | |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-135 MW2011-158 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2011-135 MW2011-158 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2012-01-11 - 2012-01-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High temperature device characteristics of AlGaN-Channel HEMTs |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaNチャネル / AlGaN channel |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 高温動作 / high-temperature operation |
| キーワード(4)（和/英） | 高周波特性 / RF characteristics |
| キーワード(5)（和/英） | 実効電子速度 / effective electron velocity |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 畑野 舞子 / Maiko Hatano / ハタノ マイコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山崎 潤 / Jyun Yamazaki / ヤマザキ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 矢船 憲成 / Norimasa Yafune / ヤフネ ノリマサ |
| 第3著者 所属（和/英） | シャープ株式会社 (略称： シャープ) Sharp Corporation (略称： Sharp) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda / トクダ ヒロクニ |
| 第4著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 喜之 / Yoshiyuki Yamamoto / ヤマモト ヨシユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd (略称： Sumitomo Electric Industries) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋本 信 / Shin Hashimoto / ハシモト シン |
| 第6著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd (略称： Sumitomo Electric Industries) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 秋田 勝史 / Katsushi Akita / アキタ カツシ |
| 第7著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) Sumitomo Electric Industries, Ltd (略称： Sumitomo Electric Industries) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara / クズハラ マサアキ |
| 第8著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) Fukui University (略称： Fukui Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第9著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第10著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第10著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第11著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第11著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第12著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第12著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第13著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第13著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第14著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第14著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第15著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第15著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第16著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第16著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第17著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第17著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 第18著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
| 第18著者 所属（和/英） | (略称： ) (略称： ) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-01-12 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-135, MW2011-158 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.373(ED), no.374(MW) |
| ページ範囲 | pp.91-95 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]