| 電子情報通信学会 研究会発表申込システム 講演論文 詳細 |
技報閲覧サービス [ログイン] 技報アーカイブ |
| トップに戻る | 前のページに戻る | [Japanese] / [English] |
| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-01-12 15:10 L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性 ○菊池 憲・八巻史一・井上和孝（住友電工）・西 眞弘・生松 均・宇井範彦・蛯原 要・新田 敦（住友電工デバイス・イノベーション）・佐野征吾（住友電工）  ED2011-138 MW2011-161 |
|
| 抄録 | （和） | L/S帯GaN HEMTの耐久性および信頼性を評価した．耐久性に関しては，チャネル温度200℃での動作において十分広い安全動作領域を得た．当社GaN HEMTの3端子耐圧は，逆F級動作のシミュレーションより求められる最大ドレイン－ソース電圧160 Vを十分満たしていた．また，電圧定在波比試験，およびRFステップストレス試験では，破壊に至るような不良や特性の劣化は確認されなかった．信頼性に関しては，5000時間の高温DC動作寿命試験を行い，チャネル温度200℃における平均故障時間は1.07×10^6時間と見積もられた．これらの結果は，当社のGaN HEMTが高出力用途において十分な耐久性と信頼性を有することを示すものである． |
| （英） | We have evaluated our L/S-band GaN HEMT for ruggedness and reliability. In terms of ruggedness, we demonstrated our GaN HEMT had sufficiently wide area of safe operation (ASO) at 200℃. Simulated peak drain-source voltage of an inverse class-F operation reached 160 V, and 3-terminal breakdown voltage was good enough to cope with the simulated maximum drain-source voltage. In addition, we carried out VSWR ruggedness and RF step stress test. No destructive failures and degradations have been observed under both tests. In terms of reliability, we carried out DC-HTOL test for 5000 hours, MTTF was estimated 1.07×10^6 hours at 200℃. These results show our GaN HEMT has good enough ruggedness and reliability for high power applications. | |
| キーワード | （和） | GaN HEMT / 耐久性 / 信頼性 / 安全動作領域 / 平均故障寿命 / / / |
| （英） | GaN HEMT / ruggedness / reliability / ASO / MTTF / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 373, ED2011-138, pp. 107-110, 2012年1月. | |
| 資料番号 | ED2011-138 | |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2011-138 MW2011-161 |
|
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED MW |
| 開催期間 | 2012-01-11 - 2012-01-12 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg |
| テーマ（和） | 化合物半導体デバイスおよび超高周波デバイス／一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-01-ED-MW |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ruggedness and Reliability of GaN HEMT for L/S-band High Power Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | 耐久性 / ruggedness |
| キーワード(3)（和/英） | 信頼性 / reliability |
| キーワード(4)（和/英） | 安全動作領域 / ASO |
| キーワード(5)（和/英） | 平均故障寿命 / MTTF |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 菊池 憲 / Ken Kikuchi / キクチ ケン |
| 第1著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 八巻 史一 / Fumikazu Yamaki / ヤマキ フミカズ |
| 第2著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井上 和孝 / Kazutaka Inoue / イノウエ カズタカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 西 眞弘 / Masahiro Nishi / ニシ マサヒロ |
| 第4著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 生松 均 / Hitoshi Haematsu / ハエマツ ヒトシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宇井 範彦 / Norihiko Ui / ウイ ノリヒコ |
| 第6著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 蛯原 要 / Kaname Ebihara / エビハラ カナメ |
| 第7著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 新田 敦 / Atsushi Nitta / ニッタ アツシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 (略称： 住友電工デバイス・イノベーション) SUMITOMO ELECTRIC DEVICE INNOVATIONS, INC. (略称： SEDI) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐野 征吾 / Seigo Sano / サノ セイゴ |
| 第9著者 所属（和/英） | 住友電気工業株式会社 (略称： 住友電工) SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. (略称： SEI) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-01-12 15:10:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2011-138, MW2011-161 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.373(ED), no.374(MW) |
| ページ範囲 | pp.107-110 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-01-04 (ED, MW) |
[研究会発表申込システムのトップページに戻る]