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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-01-26 15:15 RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ ○外間洋平・境野 剛・瀧口 透・柳楽 崇・山口晴央・鈴木正人・石村栄太郎・杉立厚志・紫村輝之（三菱電機）  PN2011-47 OPE2011-163 LQE2011-149 EST2011-97 MWP2011-65 |
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| 抄録 | （和） | 1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFB-LDにRuドープInP電流ブロック層を採用した。その結果十分な光出力と25.8Gbps直接変調での大きなマスクマージンを、従来のFeドープInP埋込型DFB-LDよりも10℃高い60℃で実現し、100Gb Ethernet規格の一つである100GBASE-LR4規格の高速動作を確認した。 |
| （英） | We developed 1.3μm AlGaInAs DFB-LD with Ru-doped InP buried Hetero-structure. In this work, we got enough power and large mask-margin of 100GBASE-LR4 which is one of 100Gb Ethernet standard in 60℃ which is 10℃ higher than by DFB-LD with Fe-doped InP buried Hetero-structure. | |
| キーワード | （和） | Ru-InP / DFB-LD / 25.8Gbps / / / / / |
| （英） | Ru-InP / DFB-LD / 25.8Gbps / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 414, LQE2011-149, pp. 95-98, 2012年1月. | |
| 資料番号 | LQE2011-149 | |
| 発行日 | 2012-01-19 (PN, OPE, LQE, EST, MWP) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | PN2011-47 OPE2011-163 LQE2011-149 EST2011-97 MWP2011-65 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | EMT PN LQE OPE MWP EST IEE-EMT |
| 開催期間 | 2012-01-26 - 2012-01-27 |
| 開催地（和） | 大阪大学コンベンションセンター |
| 開催地（英） | Osaka Univ. Convention Center |
| テーマ（和） | フォトニックNW・デバイス，フォトニック結晶，ファイバとその応用，光集積回路，光導波路素子，光スイッチング，導波路解析，一般 |
| テーマ（英） | Photonic integrated circuits and devices, swtiching, PLC, fiber devices, waveguide analysis, and others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-01-EMT-PN-LQE-OPE-MWP-EST-EMT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AlGaInAs DFB-LD with Ru-doped InP buried Hetero-structure for 25.8Gbps direct modulation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ru-InP / Ru-InP |
| キーワード(2)（和/英） | DFB-LD / DFB-LD |
| キーワード(3)（和/英） | 25.8Gbps / 25.8Gbps |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 外間 洋平 / Yohei Hokama / ホカマ ヨウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 境野 剛 / Go Sakaino / サカイノ ゴウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 瀧口 透 / Toru Takiguchi / タキグチ トオル |
| 第3著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 柳楽 崇 / Takashi Nagira / ナギラ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 晴央 / Harunaka Yamaguchi / ヤマグチ ハルナカ |
| 第5著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鈴木 正人 / Masato Suzuki / スズキ マサト |
| 第6著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石村 栄太郎 / Eitaro Ishimura / イシムラ エイタロウ |
| 第7著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉立 厚志 / Atsushi Sugitatsu / スギタツ アツシ |
| 第8著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 紫村 輝之 / Teruyuki Shimura / シムラ テルユキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社 (略称： 三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation (略称： Mitsubishi Electric) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-01-26 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | PN2011-47, OPE2011-163, LQE2011-149, EST2011-97, MWP2011-65 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.412(PN), no.413(OPE), no.414(LQE), no.415(EST), no.416(MWP) |
| ページ範囲 | pp.95-98 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-01-19 (PN, OPE, LQE, EST, MWP) |
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