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講演抄録/キーワード
講演名 2012-01-26 17:55
1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測
北原元貴久武信太郎阪大)・味戸克裕久々津直哉ソン ホ ジンNTT)・永妻忠夫阪大PN2011-53 OPE2011-169 LQE2011-155 EST2011-103 MWP2011-71 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2011-169 LQE2011-155 EST2011-103 MWP2011-71
抄録 (和) CWテラヘルツ波を用いた周波数領域分光法は、高いSN比と周波数分解能が得られるため、近年注目を集めている。これまでは、850 nm励起の低温成長GaAs あるいは、1.5μm 励起のInGaAsを光伝導ミキサとして用いたシステムが主流であった。1.5μm帯のテレコム部品が利用できればシステムをコンパクトかつ安価に構築できるが、InGaAsは低温成長GaAsと比べて抵抗率が4桁程度低く、検出器としてのSN比に問題がある。本稿では、1.5μm励起の低温成長GaAs光伝導ミキサを検出器として用いたテラヘルツ波のホモダイン検出システムについて報告する。2台の1.5μm帯波長可変レーザを用いて単一走行キャリアフォトダイオードから発生されたテラヘルツ波(90 -150 GHz)は、30 dB程度のSN比で検出された。 
(英) Recently, frequency-domain techniques based on a continuous terahertz wave technology have extensively studied because it provides a higher signal-to-noise ratio and resolution in spectroscopic applications. Previous frequency-domain spectroscopic systems employ an InGaAs exited by 1.5 m or a low-temperature-grown (LTG) GaAs exited by 850 nm as a photoconductive mixer. Although 1.5 μm telecom-wavelength technology is essential in universal instrumentation of the systems, the resistivity of the InGaAs is about 1 kΩ cm, which leads relatively higher dark noise compared to LTG- GaAs. In this paper, we report terahertz wave homodyne detection system using a uni-traveling-carrier photodiode and the LTG-GaAs at 1.5 m. A dual-frequency optical source is used for both the generation and detection. Signal-to-noise ratio of about 30 dB was achieved from 90 GHz to 150 GHz with the system.
キーワード (和) テラヘルツ波 / 周波数領域 / テラヘルツ分光 / ホモダイン検出 / LTG-GaAs / 1.5μm / /  
(英) Terahertz waves / frequency-domain / terahertz spectroscopy / homodyne-detection / LTG-GaAs / 1.5 μm / /  
文献情報 信学技報, vol. 111, no. 416, MWP2011-71, pp. 127-131, 2012年1月.
資料番号 MWP2011-71 
発行日 2012-01-19 (PN, OPE, LQE, EST, MWP) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード PN2011-53 OPE2011-169 LQE2011-155 EST2011-103 MWP2011-71 エレソ技報アーカイブへのリンク:OPE2011-169 LQE2011-155 EST2011-103 MWP2011-71

研究会情報
研究会 EMT PN LQE OPE MWP EST IEE-EMT  
開催期間 2012-01-26 - 2012-01-27 
開催地(和) 大阪大学コンベンションセンター 
開催地(英) Osaka Univ. Convention Center 
テーマ(和) フォトニックNW・デバイス,フォトニック結晶,ファイバとその応用,光集積回路,光導波路素子,光スイッチング,導波路解析,一般 
テーマ(英) Photonic integrated circuits and devices, swtiching, PLC, fiber devices, waveguide analysis, and others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 MWP 
会議コード 2012-01-EMT-PN-LQE-OPE-MWP-EST-EMT 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Homodyne Detection of Terahertz-waves Using Low-Temperature-Grown GaAs at 1.5μm 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) テラヘルツ波 / Terahertz waves  
キーワード(2)(和/英) 周波数領域 / frequency-domain  
キーワード(3)(和/英) テラヘルツ分光 / terahertz spectroscopy  
キーワード(4)(和/英) ホモダイン検出 / homodyne-detection  
キーワード(5)(和/英) LTG-GaAs / LTG-GaAs  
キーワード(6)(和/英) 1.5μm / 1.5 μm  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 北原 元貴 / Genki Kitahara / キタハラ ゲンキ
第1著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 久武 信太郎 / Shintaro Hisatake / ヒサタケ シンタロウ
第2著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 味戸 克裕 / Katsuhiro Ajito / アジト カツヒロ
第3著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Corporation (略称: NTT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 久々津 直哉 / Naoya Kukutsu / ククツ ナオヤ
第4著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Corporation (略称: NTT)
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) ソン ホ ジン / Ho-Jin Song / ソン ホ ジン
第5著者 所属(和/英) 日本電信電話株式会社 (略称: NTT)
NTT Corporation (略称: NTT)
第6著者 氏名(和/英/ヨミ) 永妻 忠夫 / Tadao Nagatsuma / ナガツマ タダオ
第6著者 所属(和/英) 大阪大学 (略称: 阪大)
Osaka University (略称: Osaka Univ.)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-01-26 17:55:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 MWP 
資料番号 PN2011-53, OPE2011-169, LQE2011-155, EST2011-103, MWP2011-71 
巻番号(vol) vol.111 
号番号(no) no.412(PN), no.413(OPE), no.414(LQE), no.415(EST), no.416(MWP) 
ページ範囲 pp.127-131 
ページ数
発行日 2012-01-19 (PN, OPE, LQE, EST, MWP) 


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