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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-03-02 14:00 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ ○森田 健・上山日向・北田貴弘・井須俊郎（徳島大）  OFT2011-79 OPE2011-205 |
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| 抄録 | （和） | 本研究では、歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層に含むGaAs/AlAs多層膜光共振器を分子線エピタキシー法により作製し、その1.55 $\mu$m波長帯の超高速光スイッチング特性について報告する。In組成の高い歪緩和InGaAsバリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットを共振器層として用い、超高速なキャリア緩和($<$ 数ps)を維持しながら吸収飽和による高い光非線形性を実現した。共振器モードの波長(1.5 $\mu$m)で時間分解透過率変化測定を行い、超高速光スイッチング特性を調べた。今回作製したEr添加したInAs量子ドット共振器の応答速度は4 psと速く、何も添加していないInAs量子ドット共振器の応答速度(12 ps)にくらべて大きく改善した。 |
| （英） | In this work, time-resolved optical measurements of GaAs/AlAs multilayer cavities with the Er-doped InAs quantum dots (QDs) embedded in strain-relaxed InGaAs barriers were investigated for ultrafast all-optical switches. The nonlinear signal due to the absorption saturation in the 20-layer stack of the Er-doped QDs became large by increasing In composition in the strain-relaxed InGaAs barriers while keeping the extremely short decay time. The QD-cavity structures consisting of two GaAs/AlAs distributed Bragg reflector (DBR) multilayers and a half-wavelength cavity layer containing two layers of the Er-doped QDs were grown by molecular beam epitaxy. The transmission change signal was clearly observed in the time-resolved measurements at the cavity mode wavelength of 1.55 $\mu$m. The response time of the Er-doped QD-cavity was 4 ps, which was much shorter than that (12 ps) of the undoped QD-cavity. | |
| キーワード | （和） | 全光スイッチ / 微小光共振器 / III-V族化合物半導体 / Er添加量子ドット / / / / |
| （英） | All optical switch / Optical microcavity / III-V semiconductors / Er-doped Quantum / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 449, OPE2011-205, pp. 31-34, 2012年3月. | |
| 資料番号 | OPE2011-205 | |
| 発行日 | 2012-02-24 (OFT, OPE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OFT2011-79 OPE2011-205 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE OFT |
| 開催期間 | 2012-03-02 - 2012-03-02 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 光波センシング、光波制御・検出、光計測、ニューロ、一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OPE |
| 会議コード | 2012-03-OPE-OFT |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 歪緩和バリア層に埋め込んだEr添加したInAs量子ドットをもつ多層膜光共振器による超高速全光スイッチ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ultrafast All-Optical Switches using Multilayer Cavity with Er-Doped InAs Quantum Dots Embedded in Strain-Relaxed Barriers |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 全光スイッチ / All optical switch |
| キーワード(2)（和/英） | 微小光共振器 / Optical microcavity |
| キーワード(3)（和/英） | III-V族化合物半導体 / III-V semiconductors |
| キーワード(4)（和/英） | Er添加量子ドット / Er-doped Quantum |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 森田 健 / Ken Morita / ウエヤマ ヒュウガ |
| 第1著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上山 日向 / Hyuga Ueyama / キタダ タカヒロ |
| 第2著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北田 貴弘 / Takahiro Kitada / イス トシロウ |
| 第3著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 井須 俊郎 / Toshiro Isu / |
| 第4著者 所属（和/英） | 徳島大学 (略称： 徳島大) The University of Tokushima (略称： Univ. of Tokushima) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-03-02 14:00:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | OPE |
| 資料番号 | OFT2011-79, OPE2011-205 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.448(OFT), no.449(OPE) |
| ページ範囲 | pp.31-34 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-02-24 (OFT, OPE) |
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