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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-03-05 13:00 ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 ○尾白佳大・小川修一（東北大）・犬飼 学（高輝度光科学研究センター）・佐藤元伸（産総研）・池永英司・室 隆桂之（高輝度光科学研究センター）・二瓶瑞久（産総研）・高桑雄二（東北大）・横山直樹（産総研）  SDM2011-179 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-179 |
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| 抄録 | （和） | 光電子制御プラズマCVDはグラファイト材料を低温成長 (～400 ℃) 、触媒無し、大面積で成長できる有力な手法である。本研究ではSiO2(90 nm)/Si基板上に多層グラフェンを形成し、光電子スペクトル、ラマンスペクトル、X線吸収スペクトルの成長時間依存を調べた。XPSによるC 1s およびSi 2p 光電子スペクトルの観察結果から、多層グラフェン膜厚は時間に対し線形関係があり、成長開始から4分までは成長速度が小さいことが分かった。ラマン分光およびXASによる観察結果から4分までは水平配向性が高く結晶粒径が10 nm程度の多層グラフェンが成長しており、4分以降で徐々にアモルファス結晶化していくことが分かった。この結果から、光電子制御プラズマCVDを用いてSiO2/Si基板上に多層グラフェンを1 nm程度の厚さまで水平方向の配向を保ったまま成長できることが分かった。 |
| （英） | The photoemission-assisted Plasma enhanced CVD is the one of the most possible method to grow graphene in the low temperature (~400 ℃) , without any catalysts, on large wafers. In this study, we investigated the growth time dependence of photoemission spectra, Raman spectra, and X-ray absorption spectra to clarify the initial growth manner of multilayer graphene on SiO2(90 nm)/Si substrates using photoemission-assisted plasma enhanced CVD. From XPS observations, the thickness increases lineally with the growth time and the growth rate until 4 min is lower than that after 4 min. From Raman spectra and X-ray absorption spectra, it is found that the horizontally oriented multilayer graphene which have the grain size of ~10 nm until 4 min, and then amorphous carbon grow. From this result, it is found that the horizontally oriented multilayer graphene whose thickness is 1 nm can be grown on SiO2/Si substrates using photoemission-assisted plasma enhanced CVD. | |
| キーワード | （和） | 光電子制御プラズマ / 多層グラフェン / プラズマCVD / ラマン分光法 / XPS / X線吸収分光 / / |
| （英） | Photoemission-assisted plasma / Multilayer graphene / plasma-enhanced chemical vapor deposition / Raman spectroscopy / XPS / X-ray absorption spectroscopy / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 111, no. 463, SDM2011-179, pp. 19-24, 2012年3月. | |
| 資料番号 | SDM2011-179 | |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2011-179 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2011-179 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-03-05 - 2012-03-05 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 配線・実装技術と関連材料技術 |
| テーマ（英） | Wiring and Assembly Technology, etc |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-03-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ラマン分光法およびXPSによるSiO2/Si基板上での多層グラフェン成長初期の研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Initial Growth Observation of Multilayer Graphene on SiO2/Si substrate using Raman Spectroscopy and XPS |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子制御プラズマ / Photoemission-assisted plasma |
| キーワード(2)（和/英） | 多層グラフェン / Multilayer graphene |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマCVD / plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(4)（和/英） | ラマン分光法 / Raman spectroscopy |
| キーワード(5)（和/英） | XPS / XPS |
| キーワード(6)（和/英） | X線吸収分光 / X-ray absorption spectroscopy |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 尾白 佳大 / Yoshihiro Ojiro / オジロ ヨシヒロ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小川 修一 / Shuichi Ogawa / オガワ シュウイチ |
| 第2著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 犬飼 学 / Manabu Inukai / イヌカイ マナブ |
| 第3著者 所属（和/英） | 財団法人 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) JASRI/SPring-8 (略称： JASRI) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 元伸 / Motonobu Sato / サトウ モトノブ |
| 第4著者 所属（和/英） | 独立行政法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池永 英司 / Eiji Ikenaga / イケナガ エイジ |
| 第5著者 所属（和/英） | 財団法人 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) JASRI/SPring-8 (略称： JASRI) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 室 隆桂之 / Takayuki Muro / ムロ タカユキ |
| 第6著者 所属（和/英） | 財団法人 高輝度光科学研究センター (略称： 高輝度光科学研究センター) JASRI/SPring-8 (略称： JASRI) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 二瓶 瑞久 / Mizuhisa Nihei / ニヘイ ミズヒサ |
| 第7著者 所属（和/英） | 独立行政法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
| 第8著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高桑 雄二 / Yuji Takakuwa / タカクワ ユウジ |
| 第8著者 所属（和/英） | 東北大学 (略称： 東北大) Tohoku University (略称： Tohoku Univ.) |
| 第9著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横山 直樹 / Naoki Yokoyama / ヨコヤマ ナオキ |
| 第9著者 所属（和/英） | 独立行政法人 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) AIST (略称： AIST) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-03-05 13:00:00 |
| 発表時間 | 30分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2011-179 |
| 巻番号（vol） | vol.111 |
| 号番号（no） | no.463 |
| ページ範囲 | pp.19-24 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-02-27 (SDM) |
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