| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-04-06 15:00
[招待講演]InP光変調器 ○八坂 洋(東北大) MWP2012-4 |
| 抄録 |
(和) |
半導体光変調器は,小型で低駆動電圧での動作が可能という特徴から注目を集めている.特にInP材料を用いた半導体光変調器は,光通信用半導体レーザとの集積が可能という特徴を持つため,光変調器を集積した光源や光集積回路の研究・開発が精力的に進められている.半導体光変調器では,外部電気信号でその吸収係数や屈折率を制御することで光に強度や位相情報を重畳する.その際に物理現象として量子閉じ込めシュタルク効果やキャリアプラズマ効果,電気光学(E/O)効果が用いられている.本報告では,このInP光変調器の動作原理やデバイス構造を概説し,最近の研究開発の現状を紹介する. |
| (英) |
Semiconductor-based optical modulators are particularly promising for applications in photonic network systems owing to their compactness, low driving voltage operation, and the potential for monolithic integration with other devices such as semiconductor lasers. The optical modulators create intensity or phase modulated optical signals through quantum-confined Stark effect (QCSE), carrier plasma effect, or electro-optic (Pockels) effect. In this talk I will give an outline of the operation principle and device structure of InP optical modulators. And then I will introduce the recent advances in the InP optical modulators. |
| キーワード |
(和) |
半導体 / 光変調器 / 電界吸収型変調器 / マッハツェンダ変調器 / / / / |
| (英) |
Semiconductor / Optical modulators / Electro-absorption modulators / Mach-Zehnder modulators / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 1, MWP2012-4, pp. 19-24, 2012年4月. |
| 資料番号 |
MWP2012-4 |
| 発行日 |
2012-03-30 (MWP) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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MWP2012-4 |