| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-04-18 14:15
熱硬化型フッ素系高分子ゲート絶縁膜を用いた高分子TFTの高性能化 ○南木 創(山形大)・伊藤昌宏(旭硝子)・奥 慎也・福田憲二郎・熊木大介・水上 誠・時任静士(山形大) ED2012-4 |
| 抄録 |
(和) |
有機半導体薄膜の結晶性や配向性は基板の表面エネルギーに強く依存し,基板に疎水化処理を施すことで移動度が大きく増加することが知られている.しかしこれらの知見は,SiO2などの無機絶縁材料と自己組織化単分子膜(SAM)を組み合わせた系における限定的なものであった.本研究では, 高透明性, 低温硬化性を有し, 表面エネルギーの制御が可能である新規な熱硬化型フッ素系高分子絶縁膜材料を用いて, 高分子TFTを作製し,高分子絶縁材料におけるトランジスタ特性の表面エネルギー依存性について詳細に調べた.その結果,表面エネルギーの低い高分子絶縁材料をゲート絶縁膜に用いることで,移動度が0.10 cm^2/Vs,オンオフ比は10^6が得られ,また移動度と表面エネルギーとの相関が得られた. |
| (英) |
Crystallinity and orientation of polymer semiconductor thin-film is strongly dependent to the surface energy of the substrate. In this study, we investigated the correlation between the surface energy of polymer insulating materials and transistor characteristics. Polymer thin-film transistors (TFTs) were prepared using thermally curable fluoro-polymer as gate insulator which has high transparency, a low temperature curing and ease of controling surface energies. We confirmed the correlation of surface energy and mobility. Furthermore, relatively good p-type characteristics was obtained, carrier mobility was 0.10 cm^2/Vs and on/off current ratio of 10^6. |
| キーワード |
(和) |
液晶性有機半導体 / 高分子TFT / PBTTT / 表面エネルギー / フッ素系高分子 / 高分子ゲート絶縁膜 / / |
| (英) |
Liquid-crystalline organic semiconductor / Polymer-TFT / PBTTT / Surface energy / Fluoro-poylmer / Polymer gate insulator / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 5, ED2012-4, pp. 15-18, 2012年4月. |
| 資料番号 |
ED2012-4 |
| 発行日 |
2012-04-11 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
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ED2012-4 |