| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-04-18 13:25
基板相互作用によるグラフェンの電子状態制御 ○吹留博一・川合祐輔・末光眞希(東北大) ED2012-2 |
| 抄録 |
(和) |
我々は、次世代デバイス材料:グラフェンのSi基板へのエピ成長に成功している。このエピグラフェンのデバイス応用に向けては、使途に応じたグラフェンの電子状態の制御が重要である。我々は、Si基板面方位によるグラフェンの積層構造の制御に成功し、さらに、この積層制御による電子状態の制御に成功した。さらに、微細加工を施したSi基板上へのグラフェン・エピ成長に成功した。これらのエピ成長技術により、ナノデバイス応用用途に適したエピグラフェンの作製が可能となる。 |
| (英) |
We have developed the way to preduce epitaxial graphene onto Si substrate. Towards device application of the epitaxial graphene, we have to control the electronic states suitable for the function of the devices. We have succeeded in controlling layer stacking and electronic states of the epitaxial graphene. Furthermore, we can succeed in growing the epitaxial graphene on microfabricated substrates. These techniques enable us to fabricate the epitaxial graphene which match the needs of various nanodevice applications. |
| キーワード |
(和) |
グラフェン / 電子状態 / 基板 / / / / / |
| (英) |
graphene / electronic state / substrate / / / / / |
| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 5, ED2012-2, pp. 5-7, 2012年4月. |
| 資料番号 |
ED2012-2 |
| 発行日 |
2012-04-11 (ED) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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ED2012-2 |