講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-04-23 12:30
[招待講演]19nm 64Gbit多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリの開発 ○柴田 昇・神田和重・久田俊記・磯部克明・佐藤 学・清水有威・清水孝洋・杉本貴宏・小林智浩・犬塚和子・金川直晃・梶谷泰之・小川武志・中井 潤(東芝)・亀井輝彦(サンディスク) ICD2012-1 エレソ技報アーカイブへのリンク:ICD2012-1 |
抄録 |
(和) |
世界最小の19nmのデザインルールを用いて64Gb多値(2bit/cell)NANDフラッシュメモリーを開発した。片側 ABL S/A構成及び1plane構成によりチップサイズは112.8mm2。ビット線バイアス アクセラレーション及び“BC”State-First 書込みアルゴリズムにより、書き込みパフォーマンスは15MB/sを実現。プログラムサスペンド機能とイレーズサスペンド機能により、リードレイテンシー時間は大幅に短縮。400MT/s/p 1.8Vの高速Toggle mode InterfaceをNANDフラッシュメモリーとしては初めて搭載した。 |
(英) |
A 64Gb MLC NAND flash memory on 19nm CMOS technology has been developed. By adopting One-Sided All-Bit-Line architecture and Single-Array configuration, 112.8mm2 die size is realized. 15MB/s program throughput with high reliability 2bits/cell is achieved using Bit-Line Bias Acceleration (BLBA) and “BC”-States-First program algorithm. Program-Suspend and Erase-Suspend functions are introduced to reduce read latency. This device also supports 400MT/s 1.8V high speed Toggle Mode interface. |
キーワード |
(和) |
NANDフラッシュメモリー / 19nmCMOS技術 / MLC(2bit/cell) / トグルモード / / / / |
(英) |
NAND flash memory / 19nm CMOS technology / MLC(2bit/cell) / Toggle Mode / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 15, ICD2012-1, pp. 1-5, 2012年4月. |
資料番号 |
ICD2012-1 |
発行日 |
2012-04-16 (ICD) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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