研究会情報 |
研究会 |
ICD |
開催期間 |
2012-04-23 - 2012-04-24 |
開催地(和) |
つなぎ温泉清温荘(岩手県) |
開催地(英) |
Seion-so, Tsunagi Hot Spring (Iwate) |
テーマ(和) |
メモリ(DRAM、SRAM、フラッシュ、新規メモリ)技術 |
テーマ(英) |
Memory Device Technologies |
講演論文情報の詳細 |
申込み研究会 |
ICD |
会議コード |
2012-04-ICD |
本文の言語 |
日本語 |
タイトル(和) |
高速、低消費電力6T-SRAMを実現する電荷の同時注入による不良セルの修復技術 |
サブタイトル(和) |
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タイトル(英) |
57% Faster Read, 31% Lower Read Energy, 256-Times Faster Injection 6T-SRAM with a Carrier-Injection Scheme to Pinpoint and Repair Disturb Fails |
サブタイトル(英) |
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キーワード(1)(和/英) |
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キーワード(2)(和/英) |
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キーワード(3)(和/英) |
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キーワード(4)(和/英) |
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キーワード(5)(和/英) |
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キーワード(6)(和/英) |
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キーワード(7)(和/英) |
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キーワード(8)(和/英) |
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第1著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮地 幸祐 / Kousuke Miyaji / ミヤジ コウスケ |
第1著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) |
鈴木 利一 / Toshikazu Suzuki / スズキ トシカズ |
第2著者 所属(和/英) |
パナソニック株式会社 (略称: パナソニック)
Panasonic (略称: Panasonic) |
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) |
宮野 信治 / Shinji Miyano / ミヤノ シンジ |
第3著者 所属(和/英) |
半導体理工学研究センター (略称: 半導体理工学研究センター)
Semiconductor Technology Academic Research Center (略称: STARC) |
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) |
竹内 健 / Ken Takeuchi / タケウチ ケン |
第4著者 所属(和/英) |
東京大学 (略称: 東大)
University of Tokyo (略称: Univ. of Tokyo) |
第5著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第5著者 所属(和/英) |
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第6著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第7著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第8著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第9著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第10著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第11著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第12著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第13著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第14著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第15著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第16著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第17著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第18著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第19著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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第20著者 氏名(和/英/ヨミ) |
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講演者 |
第1著者 |
発表日時 |
2012-04-24 13:00:00 |
発表時間 |
50分 |
申込先研究会 |
ICD |
資料番号 |
ICD2012-12 |
巻番号(vol) |
vol.112 |
号番号(no) |
no.15 |
ページ範囲 |
pp.61-66 |
ページ数 |
6 |
発行日 |
2012-04-16 (ICD) |