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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-04-27 17:10 低温成膜nc-Si膜を用いたbottom gate TFT ○宿久明日香・高橋英治・安東靖典（日新電機）  SDM2012-10 OME2012-10 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-10 OME2012-10 |
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| 抄録 | （和） | ICP（Inductively Coupled Plasma）CVD法により、150℃で直接成膜した微結晶Si（nc-Si）膜を用いて、bottom gate TFTを作製した。SiH4ガスを用いてnc-Si成膜後、NH3プラズマ処理を施すことで、0.48cm2/Vsの移動度が得られた。印加電圧20V、印加時間10000secのゲートストレスに対する信頼性評価を実施したところ、シフト量ΔVth：1.94Vを実現した。またFによる欠陥終端を狙い、SiF4ガスを用いて180℃で成膜したnc-Si膜TFTを作製し、TFT動作することが確認された。 |
| （英） | Thin film transistors (TFTs) with nanocrystalline silicon (nc-Si) films which were directly deposited on substrate at 150℃ were fabricated by using ICP (Inductively Coupled Plasma) CVD method. The NH3 plasma treatment after nc-Si deposition increased TFT mobility up to 0.48cm2/Vs. The threshold voltage shift (ΔVth) after gate bias stress of 10000sec at +20V was 1.94V. Furthermore, nc-Si TFT deposited using SiF4 gas aimed for terminating film defects by Fluorine atoms showed good transfer characteristics. | |
| キーワード | （和） | nc-Si / TFT / ICPCVD / / / / / |
| （英） | nc-Si / TFT / ICPCVD / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-10, pp. 45-48, 2012年4月. | |
| 資料番号 | SDM2012-10 | |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-10 OME2012-10 エレソ技報アーカイブへのリンク：SDM2012-10 OME2012-10 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2012-04-27 - 2012-04-28 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 低温成膜nc-Si膜を用いたbottom gate TFT |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Bottom Gate TFT using Low Temperature Deposited Nanocrystalline-Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | nc-Si / nc-Si |
| キーワード(2)（和/英） | TFT / TFT |
| キーワード(3)（和/英） | ICPCVD / ICPCVD |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宿久 明日香 / Asuka Syuku / シュク アスカ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 (略称： 日新電機) Nissin Electric Co.,Ltd. (略称： Nissin Electric) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 英治 / Eiji Takahashi / タカハシ エイジ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 (略称： 日新電機) Nissin Electric Co.,Ltd. (略称： Nissin Electric) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 安東 靖典 / Yasunori Andoh / アンドウ ヤスノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日新電機株式会社 (略称： 日新電機) Nissin Electric Co.,Ltd. (略称： Nissin Electric) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-27 17:10:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-10, OME2012-10 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.45-48 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) |
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