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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-04-28 10:20 マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長 ○林 将平・松原良平・藤田悠二・池田弥央・東 清一郎（広島大）  SDM2012-14 OME2012-14 |
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| 抄録 | （和） | ポーラスシリコン(PS)層上に堆積したアモルファスシリコン(a-Si)膜を大気圧マイクロ熱プラズマジェット照射により結晶化した。多孔度及びPS層厚増加に伴う熱拡散の抑制により、PS層上a-Si膜は容易に溶融再結晶化した。多孔度42 %、PS層厚20.8 um以上のPS層上a-Si膜は走査速度4000 mm/sの高速条件において溶融再結晶化し、結晶化率100 %の高結晶性を示した。また、PS層上結晶化Si膜は石英基板上Si膜と比べ低い応力であることが示唆された。電子後方散乱回折(EBSD)パターンからPS層上結晶化Si膜は{100}の優先配向を示したことから、PS層からのエピタキシャル成長誘起が示唆された。 |
| （英） | Amorphous silicon (a-Si) film on porous silicon (PS) underlayer were melted and rapid solidification was induced by micro-thermal-plasma-jet irradiation. Because the thermal conduction can be controlled by changing structure, a-Si films on PS formed by the porosity of 42 % and the PS layer thickness of 20.8 um were easily melted by very high speed of 4000 mm/s. Crystallized Si films show a high crystalline volume fraction of 100 % and lower tensile stress compared to that of Si films crystallized on quartz substrates. In addition, crystallized Si films on PS layer show strong orientation to {100} direction, which suggests liquid phase epitaxial growth from PS layer. | |
| キーワード | （和） | マイクロ熱プラズマジェット / ポーラスシリコン / エピタキシャル成長 / / / / / |
| （英） | Micro-Thermal-Plasma-Jet / Porous Silicon / Epitaxial Growth / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 18, SDM2012-14, pp. 63-66, 2012年4月. | |
| 資料番号 | SDM2012-14 | |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-14 OME2012-14 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM OME |
| 開催期間 | 2012-04-27 - 2012-04-28 |
| 開催地（和） | 沖縄県青年会館 |
| 開催地（英） | Okinawa-Ken-Seinen-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 薄膜（Si,化合物,有機,フレキシブル）機能デバイス・材料・評価技術および一般 |
| テーマ（英） | Advanced Thin-Film Devices (Si, Compound, Organic) and Related Topics |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-04-SDM-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Epitaxial Growth of Silicon Films on Porous Silicon Underlayer by Micro-Thermal-Plasma-Jet Irradiation |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | マイクロ熱プラズマジェット / Micro-Thermal-Plasma-Jet |
| キーワード(2)（和/英） | ポーラスシリコン / Porous Silicon |
| キーワード(3)（和/英） | エピタキシャル成長 / Epitaxial Growth |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 林 将平 / Shohei Hayashi / ハヤシ ショウヘイ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 松原 良平 / Ryohei Matsubara / マツバラ リョウヘイ |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤田 悠二 / Yuji Fujita / フジタ ユウジ |
| 第3著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第4著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 東 清一郎 / Seiichiro Higashi / ヒガシ セイイチロウ |
| 第5著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-04-28 10:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-14, OME2012-14 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.18(SDM), no.19(OME) |
| ページ範囲 | pp.63-66 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-04-20 (SDM, OME) |
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