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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-17 13:40 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 ○深見太志・浦上法之・関口寛人・岡田 浩・若原昭浩（豊橋技科大）  ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 |
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| 抄録 | （和） | Si上発光デバイスの活性層材料としてGaAsN混晶は有望である。460°Cで成長した試料に比べ、600°Cで成長したGaAsN混晶のPLスペクトルは半値全幅が狭く、高エネルギー側の裾が小さくなった。また、PLピークエネルギーの温度依存性において、局在状態が少ないことが示唆された。600°C付近で成長したGaAsN/GaP SQWでは、 PL積分強度の温度依存性において温度消光が少なくなった。これは、成長温度を高くすることにより、Nに起因する点欠陥の抑制が出来たためであると考えられる。以上のことから、高温で成長することによりGaAsN混晶の結晶性の向上が可能であることが分かった。 |
| （英） | GaAsN alloys are one of the attractive candidates for the active layers of the luminescence devices on Si. Compared with GaAsN grown at 460°C, localization energy in GaAsN grown at 600°C decrease about 2/3. The low energy tail from GaAsN grown at 600°C is smaller than the one from the sample grown at 460°C. These results indicate that potential fluctuations are reduced and carrier localization can be suppressed by high temperature growth. Thermal quenching of Photoluminescence integral intensity for the samples grown at 600°C is decrease compared to those of grown at 460°C. This result suggests that point defects are inhibited by high growth temperature. | |
| キーワード | （和） | 光電子集積回路 / GaAsN / 分子線エピタキシー / III-V-N混晶 / / / / |
| （英） | OEIC / GaAsN / Molecular beam epitaxy / III-V-N alloy / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 32, ED2012-18, pp. 7-10, 2012年5月. | |
| 資料番号 | ED2012-18 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-18 CPM2012-2 SDM2012-20 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 高温成長によるGaAsN混晶の結晶性向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement in crystalline quality of GaAsN alloy by high temperature growth |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 光電子集積回路 / OEIC |
| キーワード(2)（和/英） | GaAsN / GaAsN |
| キーワード(3)（和/英） | 分子線エピタキシー / Molecular beam epitaxy |
| キーワード(4)（和/英） | III-V-N混晶 / III-V-N alloy |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深見 太志 / Futoshi Fukami / フカミ フトシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦上 法之 / Noriyuki Urakami / ウラカミ ノリユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 寛人 / Hiroto Sekiguchi / セキグチ ヒロト |
| 第3著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 岡田 浩 / Hiroshi Okada / オカダ ヒロシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 若原 昭浩 / Akihiro Wakahara / ワカハラ アキヒロ |
| 第5著者 所属（和/英） | 豊橋技術科学大学 (略称： 豊橋技科大) Toyohashi University of Technology (略称： Toyohashi Univ. Tech.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-17 13:40:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-18, CPM2012-2, SDM2012-20 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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