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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-17 14:30 Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 ○久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野 浩（名大）  ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 |
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| 抄録 | （和） | MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101) GaNストライプ上に発光波長435nm～590nm、井戸幅2nm～9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造を作製し、偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ、発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合、発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる、また井戸幅が厚くなるほど、偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また、発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ、ナローイングが観測されるとともに、井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから、井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり、任意のLD構造設計への応用が期待される。 |
| （英） | We grew High-quality semipolar (1-101) GaN stripes on a Si substrate through Selective area growth (SAG) and regrow InGaN/GaN MQW on these template stripes by MOVPE. The PL peak wavelengths at 300 K and InGaN well thickness for each sample were 435nm~590nm,2nm~9nm.We found that a shorter wavelength and thinner well thickness sample have PL polarization from surface perpendicular to the c axis. In contrast, a longer wavelength or thicker well thickness sample shift parallel.As a result we can control polarization properties by well thickness and In composition and apply to make a LD structure. | |
| キーワード | （和） | InGaN / 半極性 / 偏光 / 多重量子井戸 / MOVPE / Si基板 / / |
| （英） | InGaN / Semipolar / Polarization / MQW / MOVPE / Si substrate / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 32, ED2012-20, pp. 15-18, 2012年5月. | |
| 資料番号 | ED2012-20 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-20 CPM2012-4 SDM2012-22 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Polarization properties in InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar (1-101)GaN/Si |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN / InGaN |
| キーワード(2)（和/英） | 半極性 / Semipolar |
| キーワード(3)（和/英） | 偏光 / Polarization |
| キーワード(4)（和/英） | 多重量子井戸 / MQW |
| キーワード(5)（和/英） | MOVPE / MOVPE |
| キーワード(6)（和/英） | Si基板 / Si substrate |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 久志本 真希 / Maki Kushimoto / クシモト マキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷川 智之 / Tomoyuki Tanikawa / タニカワ トモユキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 本田 善央 / Yoshio Honda / ホンダ ヨシオ |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山口 雅史 / Masahito Yamaguchi / ヤマグチ マサヒト |
| 第4著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 天野 浩 / Hiroshi Amano / アマノ ヒロシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-17 14:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-20, CPM2012-4, SDM2012-22 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.15-18 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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