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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-18 09:25 ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 ○谷田部然治・堀 祐臣・金 聖植・橋詰 保（北大）  ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 |
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| 抄録 | （和） | ドライエッチングしたAlGaN表面に形成したMOS構造の評価を行った．ドライエッチングには、Cl2/BCl3ガスによるICP支援プラズマ法を用いた．ドライエッチ後、原子層堆積法を用いてAlGaN/GaN表面にAl2O3層を堆積し、絶縁ゲート構造を作製した．その界面特性を容量-電圧（C-V）、及び光支援C-V法により評価した．光照射に起因するしきい値電圧平行シフト量がICPエッチング後には大きくなっていることから、ICPエッチングによりAl2O3/AlGaN界面準位密度が増加することが明らかになった．またX線光電子分光法（XPS）による評価から、界面準位密度増加の原因はドライエッチング後のAlGaN表面の窒素欠乏である可能性が示唆された． |
| （英） | Our aim is to investigate the effects of dry etching of AlGaN surface on interface properties of GaN-based MOS structure. ICP-assisted plasma with Cl2/BCl3 gas mixture was used for the dry etching. After the dry etching, we fabricated an Al2O3-insulated gate on AlGaN/GaN surface by atomic layer depositon (ALD). To characterize the interface properties of Al2O3/AlGaN, we performed standard capacitance-voltage (C-V) measurements and photo-assisted method. The lager threshold voltage shift due to the photo-assisted electron emission indicated that the ICP etching leads to an increase the Al2O3/AlGaN interface states density. From the X-ray photoelectron spectroscopy, we observed that the ICP process induced the nitrogen vacancy at the AlGaN surface, causing high-density of electron states at Al2O3/AlGaN interface. | |
| キーワード | （和） | ドライエッチング / ICP / AlGaN / MOS / Al2O3 / C-V / 界面準位 / |
| （英） | dry etching / ICP / AlGaN / MOS / Al2O3 / C-V / interface state / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 32, ED2012-27, pp. 49-52, 2012年5月. | |
| 資料番号 | ED2012-27 | |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 エレソ技報アーカイブへのリンク：ED2012-27 CPM2012-11 SDM2012-29 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED SDM CPM |
| 開催期間 | 2012-05-17 - 2012-05-18 |
| 開催地（和） | 豊橋技術科学大学ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー |
| 開催地（英） | VBL, Toyohashi Univ. of Technol. |
| テーマ（和） | 結晶成長，評価及びデバイス（化合物，Si，SiGe，電子・光材料） |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-05-ED-SDM-CPM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | ドライエッチ面を含むAl2O3/AlGaN/GaN構造の界面評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Interface characterization of GaN-based MOS heterostructures employing ICP-etched AlGaN surfaces |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | ドライエッチング / dry etching |
| キーワード(2)（和/英） | ICP / ICP |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaN / AlGaN |
| キーワード(4)（和/英） | MOS / MOS |
| キーワード(5)（和/英） | Al2O3 / Al2O3 |
| キーワード(6)（和/英） | C-V / C-V |
| キーワード(7)（和/英） | 界面準位 / interface state |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 谷田部 然治 / Zenji Yatabe / ヤタベ ゼンジ |
| 第1著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 堀 祐臣 / Yujin Hori / ホリ ユウジン |
| 第2著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金 聖植 / Sungsik Kim / キム ソンシク |
| 第3著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 橋詰 保 / Tamotsu Hashizume / ハシヅメ タモツ |
| 第4著者 所属（和/英） | 北海道大学 (略称： 北大) Hokkaido University (略称： Hokkaido Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | / / |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-18 09:25:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-27, CPM2012-11, SDM2012-29 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.32(ED), no.33(CPM), no.34(SDM) |
| ページ範囲 | pp.49-52 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-05-10 (ED, CPM, SDM) |
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