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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-05-25 15:15 半導体光増幅器での強度雑音と周波数雑音の理論解析 ○山田 実（金沢大）  LQE2012-11 |
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| 抄録 | （和） | 導体光増幅器(SOA)における強度雑音と周波数雑音を理論解析した。揺らぎをともなった伝播光の増幅作用を古典的波動方程式に量子論的修正を加えて定式化した。SOA自身が発生する増幅された自然放出光（ASE）の混入も考慮しており、強度雑音は相対強度雑音（RIN）、周波数雑音は信号光の線幅で記述した。入射光の電力による出射光RINの変化を理論的に説明した。入射光電力が小さい場合、出射光のRINは増加するが、入射光電力がある程度大きい場合は、出射光のRINは入射光よりも減少する。また、信号光の線幅はSOAで増幅しても変化しない。 |
| （英） | A theoretical analysis of the intensity and the frequency noise in semiconductor optical amplifiers (SOA) is given. Amplification of a traveling optical wave is formulated associating with fluctuations on the optical intensity, the optical phase and the electron numbers based on the classical wave-equation and quantum mechanical modification. Inclusion of the amplified spontaneous emission generated in the SOA is also taken into account. Amounts of noise are expressed in terms of the relative intensity noise (RIN), the spectrum line-width and the frequency noise (FM noise). Sensitive dependency of the RIN property on the optical input power is theoretically explained. The RIN increases after passing the SOA when the optical input power is small enough, but decreases when the optical input power is rather high. On the while, the spectrum line-width is found to be scarcely changed from the input light for conventional operation of the SOA. | |
| キーワード | （和） | 半導体光増幅器 / SOA / 雑音 / 線幅 / 半導体レーザ / / / |
| （英） | Semiconductor optical amplifiers / Noise / Line-width / Semiconductor lasers / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 62, LQE2012-11, pp. 47-52, 2012年5月. | |
| 資料番号 | LQE2012-11 | |
| 発行日 | 2012-05-18 (LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | LQE2012-11 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE LSJ |
| 開催期間 | 2012-05-25 - 2012-05-25 |
| 開催地（和） | 福井大学文京キャンパス |
| 開催地（英） | Univ. of Fukui (Bunkyo Campus) |
| テーマ（和） | 量子光学，非線形光学，超高速現象，レーザ基礎，及び一般 |
| テーマ（英） | Quantum optics, nonlinear optics, ultra-high speed phenomenon, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-05-LQE-LSJ |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 半導体光増幅器での強度雑音と周波数雑音の理論解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Theoretical Analysis of Intensity and Frequency Noises in Semiconductor Optical Amplifier |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 半導体光増幅器 / Semiconductor optical amplifiers |
| キーワード(2)（和/英） | SOA / Noise |
| キーワード(3)（和/英） | 雑音 / Line-width |
| キーワード(4)（和/英） | 線幅 / Semiconductor lasers |
| キーワード(5)（和/英） | 半導体レーザ / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山田 実 / Minoru Yamada / ヤマダ ミノル |
| 第1著者 所属（和/英） | 金沢大学 (略称： 金沢大) Kanazawa University (略称： kanazawa Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-05-25 15:15:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | LQE2012-11 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.62 |
| ページ範囲 | pp.47-52 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-05-18 (LQE) |
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