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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 09:40 Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 ○池田弥央（広島大）・牧原克典・宮崎誠一（名大）  SDM2012-45 |
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| 抄録 | （和） | シリコン量子ドット(Si-QDs)とNiSiナノドット(NDs)のハイブリッド積層構造をフローティングゲート(FG)にしたMOS キャパシタにおいて，内部光電効果によるNiSi-NDsからSi-QDsへの電荷移動に着目し，近赤外光照射がハイブリッドFG内の電荷移動・再分布に及ぼす影響を調べた．容量-電圧特性において，光照射下での電子注入に起因するフラットバンド電圧シフトは，暗状態に比べて減少した．これは，NiSi-NDs内で光励起された電子がSi-QDsへ移動することによりハイブリッドFG 中で負電荷中心がゲート電極側へシフトした結果として解釈できる．また，NiSi-NDs内で光励起された電子のパルスゲート電圧に対する応答を調べた結果，NiSi-NDsからSi-QDsへ移動する電荷量は，パルスゲート電圧の大きさに比例することが示唆された． |
| （英） | We have studied electron transfer due to internal photoelectric emission in NiSi-Nanodots(NDs)/Si-Quantum-Dots(Si-QDs) hybrid FG structures induced by the irradiation of 1310 nm light. The flat-band voltage shift due to the charging of the hybrid FG was reduced by the light irradiation in comparison with that in the dark. The observed optical response can be interpreted in terms of the shift of the charge centroid in the hybrid FG caused by the photoexcitation of electrons in NiSi-NDs and their transfer to Si-QDs. The response of photoexcited electrons in the NiSi-NDs/Si-QDs hybrid FG to pulsed gate voltage was evaluated. The transferred charge is likely to increase in proportion to pulse gate voltage. | |
| キーワード | （和） | シリコン量子ドット / ナノドット / シリサイドナノドット / フローティングゲート / 光応答 / メモリ / / |
| （英） | silicon quantum dot / nanodot / silicide nanodot / floating gate / optical response / memory / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-45, pp. 13-16, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-45 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-45 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Photoexcited Carrier Transfer in NiSi-Nanodots/Si-Quantum-Dots Hybrid Floating Gate in MOS Structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコン量子ドット / silicon quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | ナノドット / nanodot |
| キーワード(3)（和/英） | シリサイドナノドット / silicide nanodot |
| キーワード(4)（和/英） | フローティングゲート / floating gate |
| キーワード(5)（和/英） | 光応答 / optical response |
| キーワード(6)（和/英） | メモリ / memory |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 池田 弥央 / Mitsuhisa Ikeda / イケダ ミツヒサ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島大学 (略称： 広島大) Hiroshima University (略称： Hiroshima Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 牧原 克典 / Katsunori Makihara / マキハラ カツノリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 宮崎 誠一 / Seiichi Miyazaki / |
| 第3著者 所属（和/英） | 名古屋大学 (略称： 名大) Nagoya University (略称： Nagoya Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 09:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-45 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.13-16 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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