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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 10:00 リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製 ○上武央季（奈良先端大/JST）・小原孝介（奈良先端大）・上沼睦典・鄭 彬・石河泰明（奈良先端大/JST）・山下一郎（奈良先端大/JST/パナソニック）・浦岡行治（奈良先端大/JST）  SDM2012-46 |
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| 抄録 | （和） | フラッシュメモリの記憶デバイスにあたるフローティングゲートメモリの中でも，電荷保持層がナノドットの二次元配列であるナノドット型フローティングゲートメモリは高書き込み耐性から注目を集めている． 本研究では材料認識ペプチドを修飾した球殻状タンパクDps(DNA binding protein from starved cells)を用いることでSi基板上にコバルトナノドットの高密度二次元配列を形成した．このDpsによって形成されたナノドットはCo3O4であり，コバルトナノドットの吸着密度は1012cm-2以上であった．またナノドットはSiO2膜中に埋め込み還元雰囲気中でアニールすることで還元され，Coとなることが明らかになった．Dpsを利用して作製したMOSキャパシタのC-V特性を測定したところ，大きなヒステリシスが観測された． |
| （英） | Nanodot-type floating gate memory (NFGM), which has a two dimensional array of nanodots as a floating gate, has attracted much attention due to good reliability and high performance. A high-density two-dimensional nanodot array was formed by using Ti-binding Dps (TD) which is a Listeria Dps with Ti-binding peptides. A high-density nanodot array over 1012 cm-2 was formed on a SiO2 at low temperature owing to the specific adsorption of Ti-binding peptide. It was found that this nanodot was Co3O4 from the result of XRD mesurement, and Co nanodots embedded in a SiO2 gate oxide were reduced partly by annealing in a reductive gas. In the case of the MOS capacitor with the nanodot array formed utilizing TD, large hysteresis was observed. This research contributes to realizing future memory devices. | |
| キーワード | （和） | バイオナノプロセス / フローティングゲートメモリ / ナノドット / リステリアDps / / / / |
| （英） | Bio Nano Process / Floating gate memory / Nanodot / Listeria Dps / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-46, pp. 17-21, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-46 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | リステリアDpsを利用したナノドット型フローティングゲートメモリの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Nanodot-type Floating Gate Memory with High-density Nanodot Array Formed Utilizing Listeria Dps |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | バイオナノプロセス / Bio Nano Process |
| キーワード(2)（和/英） | フローティングゲートメモリ / Floating gate memory |
| キーワード(3)（和/英） | ナノドット / Nanodot |
| キーワード(4)（和/英） | リステリアDps / Listeria Dps |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上武 央季 / Hiroki Kamitake / カミタケ ヒロキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小原 孝介 / Kosuke Ohara / |
| 第2著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma / ウエヌマ ムツノリ |
| 第3著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 鄭 彬 / Bin Zheng / テイ ヒン |
| 第4著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石河 泰明 / Yasuaki Ishikawa / イシカワ ヤスアキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山下 一郎 / Ichiro Yamashita / ヤマシタ イチロウ |
| 第6著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST/パナソニック) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 第7著者 氏名（和/英/ヨミ） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka / ウラオカ ユキハル |
| 第7著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学 (略称： 奈良先端大/JST) Nara Institute of Science and Technology (略称： NAIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 10:00:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-46 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.17-21 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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