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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 15:55 シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 ～ 熱酸化過程での偏析挙動 ～ ○深田直樹（物質・材料研究機構）・滝口 亮・石田慎哉・横野茂樹（筑波大）・関口隆史（物質・材料研究機構）・村上浩一（筑波大）  SDM2012-58 |
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| 抄録 | （和） | ナノワイヤを利用した次世代トランジスタの実現には，1）ナノスケールでのサイズ・配列・構造制御，2）不純物ドーピングによる特性制御，および3）評価技術の確立が重要課題となっている．ナノワイヤをチャネルとし，不純物を高濃度にドープしたソース・ドレイン領域を形成するためには，ナノワイヤ中にドープされた不純物を検出・評価できる手法が必要である．これまでに，ラマン散乱法および電子スピン共鳴法により，シリコン（Si）ナノワイヤ中にドープされたボロン（B）およびリン（P）の結合・電子状態を明らかにしてきた．上記手法を利用して熱酸化過程での不純物の偏析挙動を調べた結果，BおよびPの偏析挙動を捉えることに成功し，BはPに比べて酸化膜側へ偏析しやすいことを明らかにした． |
| （英） | In order to realize the next-generation MOSFETs, it is indispensable to realize the size, site, and structure controls in nano-scale. In addition to these, doping control and the development of characterization methods are also very important. Until now, we could experimentally succeed in detecting the dopant impurities (B and P) and clarify their bonding and electrical states in SiNWs by micro-Raman scattering and electron spin resonance methods. The segregation behaviors of B and P atoms during thermal oxidation were investigated by using these techniques, showing that B segregation into surface oxide layers was more pronounced than P segregation. | |
| キーワード | （和） | シリコンナノワイヤ / ドーピング / ラマン散乱 / 電子スピン共鳴 / / / / |
| （英） | Silicon nanowire / Doping / Raman scattering / Electron spin resonance / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-58, pp. 81-85, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-58 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-58 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 |
| サブタイトル（和） | 熱酸化過程での偏析挙動 |
| タイトル（英） | Doping and behaviors of impurity atoms in silicon nanowires |
| サブタイトル（英） | Segregation behaviors of dopant atoms during thermal oxidation |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンナノワイヤ / Silicon nanowire |
| キーワード(2)（和/英） | ドーピング / Doping |
| キーワード(3)（和/英） | ラマン散乱 / Raman scattering |
| キーワード(4)（和/英） | 電子スピン共鳴 / Electron spin resonance |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 深田 直樹 / Naoki Fukata / フカタ ナオキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 独立行政法人物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 滝口 亮 / Ryo Takiguchi / タキグチ リョウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 石田 慎哉 / Shinya Ishida / イシダ シンヤ |
| 第3著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 横野 茂樹 / Shigeki Yokono / ヨコノ シゲキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 関口 隆史 / Takashi Sekiguchi / セキグチ タカシ |
| 第5著者 所属（和/英） | 独立行政法人物質・材料研究機構 (略称： 物質・材料研究機構) National Institute for Materials Science (略称： NIMS) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 村上 浩一 / Kouichi Murakami / |
| 第6著者 所属（和/英） | 筑波大学 (略称： 筑波大) University of Tsukuba (略称： Univ. of Tsukuba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 15:55:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-58 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.81-85 |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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