講演抄録/キーワード |
講演名 |
2012-06-21 15:55
シリコンナノワイヤへの不純物ドーピングと不純物の挙動 ~ 熱酸化過程での偏析挙動 ~ ○深田直樹(物質・材料研究機構)・滝口 亮・石田慎哉・横野茂樹(筑波大)・関口隆史(物質・材料研究機構)・村上浩一(筑波大) SDM2012-58 エレソ技報アーカイブへのリンク:SDM2012-58 |
抄録 |
(和) |
ナノワイヤを利用した次世代トランジスタの実現には,1)ナノスケールでのサイズ・配列・構造制御,2)不純物ドーピングによる特性制御,および3)評価技術の確立が重要課題となっている.ナノワイヤをチャネルとし,不純物を高濃度にドープしたソース・ドレイン領域を形成するためには,ナノワイヤ中にドープされた不純物を検出・評価できる手法が必要である.これまでに,ラマン散乱法および電子スピン共鳴法により,シリコン(Si)ナノワイヤ中にドープされたボロン(B)およびリン(P)の結合・電子状態を明らかにしてきた.上記手法を利用して熱酸化過程での不純物の偏析挙動を調べた結果,BおよびPの偏析挙動を捉えることに成功し,BはPに比べて酸化膜側へ偏析しやすいことを明らかにした. |
(英) |
In order to realize the next-generation MOSFETs, it is indispensable to realize the size, site, and structure controls in nano-scale. In addition to these, doping control and the development of characterization methods are also very important. Until now, we could experimentally succeed in detecting the dopant impurities (B and P) and clarify their bonding and electrical states in SiNWs by micro-Raman scattering and electron spin resonance methods. The segregation behaviors of B and P atoms during thermal oxidation were investigated by using these techniques, showing that B segregation into surface oxide layers was more pronounced than P segregation. |
キーワード |
(和) |
シリコンナノワイヤ / ドーピング / ラマン散乱 / 電子スピン共鳴 / / / / |
(英) |
Silicon nanowire / Doping / Raman scattering / Electron spin resonance / / / / |
文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-58, pp. 81-85, 2012年6月. |
資料番号 |
SDM2012-58 |
発行日 |
2012-06-14 (SDM) |
ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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