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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-06-21 16:55 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性 ○入沢寿史・小田 穣・手塚 勉（産総研）  SDM2012-60 |
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| 抄録 | （和） | 微細メタルS/D InGaAs MOSFETへの適用を見据え，Ni-InGaAs合金コンタクトの膜厚制御性と熱的安定性を調べた．その結果，Ni堆積量の精密制御と低温熱処理の適用により，6 nmという非常に薄い膜厚で，且つ低いシート抵抗 (25 ohm/sq.) を有するNi-InGaAs合金層の形成が可能である事が分かった．本極薄合金層は250℃まで安定である事が確認されたが，300℃以上では界面ゆらぎを伴う膜厚増大が観察された．微細InGaAs MOSFET適用へは，低温BEOLプロセスの確立が重要である． |
| （英） | Thickness controllability and thermal stability of Ni-InGaAs alloyed contact have been investigated with the aim of the applications to scaled metal S/D InGaAs MOSFETs. Low sheet resistance (25 ohm/sq.) Ni-InGaAs alloyed layers with the thickness as thin as 6 nm, which meets the requirement of scaled metal S/D MOSFETs (Lg < 50 nm), have been formed by reducing evaporated Ni thickness and annealing temperature. It was found that the ultra-thin and smooth alloyed layer maintained after additional annealing at temperatures up to 250˚C. These results suggest that low temperature BEOL processes (< 250˚C) would enable us to utilize Ni-InGaAs alloyed contacts in scaled metal S/D devices. | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | InGaAs / Ni-InGaAs / MOSFET / Alloyed contact / Metal S/D / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 92, SDM2012-60, pp. 93-96, 2012年6月. | |
| 資料番号 | SDM2012-60 | |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-60 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
| 開催期間 | 2012-06-21 - 2012-06-21 |
| 開催地（和） | 名古屋大学（ベンチャー・ビジネス・ラボラトリー） |
| 開催地（英） | VBL, Nagoya Univ. |
| テーマ（和） | ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜およびメモリ技術（応用物理学会、シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Science and Technology for Dielectric Thin Films for Electron Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-06-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 微細InGaAs MOSFETに適用可能な極薄Ni-InGaAs合金コンタクトの形成とその熱的安定性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Formation of Extremely Thin Ni-InGaAs Alloyed Contact for Scaled InGaAs MOSFETs and its Thermal Stability |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / InGaAs |
| キーワード(2)（和/英） | / Ni-InGaAs |
| キーワード(3)（和/英） | / MOSFET |
| キーワード(4)（和/英） | / Alloyed contact |
| キーワード(5)（和/英） | / Metal S/D |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 入沢 寿史 / Toshifumi Irisawa / イリサワ トシフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小田 穣 / Minoru Oda / オダ ミノル |
| 第2著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 手塚 勉 / Tsutomu Tezuka / |
| 第3著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所 (略称： 産総研) National Insutitute of Advanced Industrial Science and Technology (略称： AIST) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-06-21 16:55:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-60 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.92 |
| ページ範囲 | pp.93-96 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-06-14 (SDM) |
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