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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-07-26 15:50 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性 ○高橋利文（福井大）・金田直樹・三島友義（日立電線）・梶原隆司・田中 悟（九大）・塩島謙次（福井大）  ED2012-46 |
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| 抄録 | （和） | 結晶成長後の降温時にNH3供給を停止する温度(TNH3)を変えることにより表面ストイキオメトリを制御した3種類のp-GaN基板を用いたAu/Niショットキー接触の電気的特性の評価結果を報告する。光応答測定の結果では、すべてのサンプルのショットキー障壁高さ(qφB)は2.2 eV程度と高く、TNH3が900℃から300℃に低下するに伴い、qφBは0.1 eVのわずかな増加が観察された。同時に、表面近傍のアクセプター型欠陥によるキャリアの充放電がTNH3の減少とともに減少した。Nリッチな表面では、アクセプター型欠陥が不活性化されるまたは、ドナー型欠陥の形成により補償される傾向がみられた。その結果、界面でのピニング位置がわずかに伝導帯端に移動した可能性があると考えられる。 |
| （英） | Experimental results of electrical characteristics of Au/Ni Schottky contacts formed on three kinds of p-GaN layers, which were grown at different turn-off temperatures (300, 600, and 900℃) of an NH3 gas supply (TNH3) on cooling down at the end of the growth to control the surface stoichiometry. In the internal photoemission results, the Schottky barrier heights of all the samples were as high as around 2.2 eV, and a slight increase by 0.1 eV was observed when the TNH3 decreased from 900 to 300℃. At the same time, carrier capture and emission from accepter-like mid-gap level defects decreased as the TNH3 decrease. The N-rich cooling-down condition tends to passivate the acceptor type defects or create donor type defects for the compensation, and the pinning position at the interface might be moved to the conduction band edge slightly. | |
| キーワード | （和） | 表面ストイキオメトリ / p-GaN / ショットキー接触 / アクセプター型欠陥 / / / / |
| （英） | surface stoichiometry / p-GaN / Schottky contacts / acceptor type defects / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 154, ED2012-46, pp. 25-30, 2012年7月. | |
| 資料番号 | ED2012-46 | |
| 発行日 | 2012-07-19 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-07-26 - 2012-07-27 |
| 開催地（和） | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 |
| 開催地（英） | Fukui University |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-07-ED |
| 本文の言語 | 英語（日本語タイトルあり） |
| タイトル（和） | 表面ストイキオメトリを制御したp-GaNショットキー接触の電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characteristics of Surface Stoichiometry Controlled p-GaN Schottky Contacts |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 表面ストイキオメトリ / surface stoichiometry |
| キーワード(2)（和/英） | p-GaN / p-GaN |
| キーワード(3)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(4)（和/英） | アクセプター型欠陥 / acceptor type defects |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高橋 利文 / Toshifumi Takahashi / タカハシ トシフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 金田 直樹 / Naoki Kaneda / カネダ ナオキ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima / ミシマ トモヨシ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日立電線(株) (略称： 日立電線) Hitachi Cable Ltd. (略称： Hitachi Cable) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 梶原 隆司 / Takashi Kajiwara / カジワラ タカシ |
| 第4著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 悟 / Satoru Tanaka / タナカ サトル |
| 第5著者 所属（和/英） | 九州大学 (略称： 九大) Kyushu University (略称： Kyushu Univ.) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima / シオジマ ケンジ |
| 第6著者 所属（和/英） | 福井大学 (略称： 福井大) University of Fukui (略称： Univ. of Fukui) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-07-26 15:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-46 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.154 |
| ページ範囲 | pp.25-30 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-07-19 (ED) |
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