| 講演抄録/キーワード |
| 講演名 |
2012-07-26 09:30
S帯170W/70%パーシャル整合GaN HEMT高効率高出力増幅器 ~ 高調波処理によるGaN-on-Siデバイスの高効率化 ~ ○小坂尚希・内田浩光・能登一二三・山中宏治・中山正敏・平野嘉仁・井上 晃・野上洋一・金谷 康(三菱電機) MW2012-28 OPE2012-21 EST2012-10 MWP2012-9 |
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| 文献情報 |
信学技報, vol. 112, no. 155, MW2012-28, pp. 7-10, 2012年7月. |
| 資料番号 |
MW2012-28 |
| 発行日 |
2012-07-19 (MW, OPE, EST, MWP) |
| ISSN |
Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 |
著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) |
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