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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-07-27 09:30 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 ○永井佑太郎・佐藤 純・原 紳介・藤代博記（東京理科大）・遠藤 聡・渡邊一世（NICT）  ED2012-48 |
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| 抄録 | （和） | InSbの歪みバンド構造を計算し，量子補正モンテカルロ法を用いてInSb HEMTの特性を解析した．またInAs HEMTと比較した．チャネルに加わる圧縮歪みはInSbチャネルの電子の有効質量を増加させたが，InSb HEMTはInAs HEMTと比べて低いドレイン電圧Vdsから高い電流駆動能力と高いfTを示した．一方圧縮歪みは衝突電離スレッショルドエネルギーEthを上昇させたが，低いVdsから衝突電離が発生した．これによりInSb HEMTは電流駆動能力とfTが高いが，低いVdsでの使用に制限されることを示した． |
| （英） | The strained band structures of InSb are calculated, and then the intrinsic performances of the InSb HEMTs are analyzed by using the quantum-corrected MC simulation. These are also compared with the InAs HEMT. Although the compressive strain applied to the channel increases the electron effective mass, m*, the InSb HEMTs still show the higher current drivability and the higher intrinsic fT than the InAs HEMT. However, the severe impact ionization occurs from the lower Vds owing to the smaller impact ionization threshold energy, Eth, even though the compressive strain increases it. This restricts the InSb HEMTs within the low Vds applications. |
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| キーワード | （和） | InSb / HEMT / 歪み / 遅延時間 / 衝突電離 / 量子補正モンテカルロ法 / / |
| （英） | InSb / HEMT / Strain / Delay Time / Impact Ionization / Quantum-Corrected Monte Carlo Method / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 154, ED2012-48, pp. 37-42, 2012年7月. | |
| 資料番号 | ED2012-48 | |
| 発行日 | 2012-07-19 (ED) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | ED2012-48 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED |
| 開催期間 | 2012-07-26 - 2012-07-27 |
| 開催地（和） | 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部３Ｆ研修室 |
| 開催地（英） | Fukui University |
| テーマ（和） | 半導体プロセス・デバイス（表面，界面，信頼性），一般 |
| テーマ（英） | Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ED |
| 会議コード | 2012-07-ED |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Delay Time Analysis of Strained InSb HEMTs Using Quantum-Corrected Monte Carlo Method |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | InSb / InSb |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 歪み / Strain |
| キーワード(4)（和/英） | 遅延時間 / Delay Time |
| キーワード(5)（和/英） | 衝突電離 / Impact Ionization |
| キーワード(6)（和/英） | 量子補正モンテカルロ法 / Quantum-Corrected Monte Carlo Method |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 永井 佑太郎 / Yutaro Nagai / ナガイ ユウタロウ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 佐藤 純 / Jun Sato / サトウ ジュン |
| 第2著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 原 紳介 / Shinsuke Hara / ハラ シンスケ |
| 第3著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 藤代 博記 / Hiroki I. Fujishiro / フジシロ ヒロキ |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京理科大学 (略称： 東京理科大) Tokyo University of Science (略称： Tokyo Univ. of Sci.) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 遠藤 聡 / Akira Endoh / エンドウ アキラ |
| 第5著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 渡邊 一世 / Issei Watanabe / ワタナベ イッセイ |
| 第6著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-07-27 09:30:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | ED |
| 資料番号 | ED2012-48 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.154 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-07-19 (ED) |
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