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講演抄録/キーワード
講演名 2012-07-27 11:25
非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験
日高志郎近藤太郎赤堀誠志・○山田省二北陸先端大ED2012-52
抄録 (和) 高In組成(75 %)InGaAs/InAlAs 2次元電子ガス試料表面にCo0.8Fe0.2電極を複数配置した横方向スピンバルブ素子において、非局所配置(構成)によるスピン注入実験を行い、従来の報告より3倍程度も改善された、CoFe - InGaAs界面スピン偏極率(~5.7 %)とスピン拡散長(~5.1 μ m)を確認した。これは約11 %のスピン注入効率に相当する。このような結果が得られた要因としては、採用した試料でほぼ実現されているPersistent spin helix (PSH)と言われる条件下で、スピン軌道相互作用によるスピン緩和が起こりにくくなっていること、界面InGaAs層が良質で、低抵抗かつスピンフリップ散乱が少ないこと等が推定できる。 
(英) lectrical spin injection experiments are carried out in CoFe – high In-content InGaAs/InAlAs two-dimensional electron gas (2DEG) lateral spin-valve devices in non-local configuration. As a result, spin polarization at CoFe – InGaAs interface of ~5.7 % and spin diffusion length in the 2DEG of ~5.1 μm were confirmed. Those values are almost three times improved when compared with the former results and gives the spin injection efficiency of ~11 %. As for the origin of the results, we can point out the persistent spin helix (PSH) condition almost realized in our sample and the low resistance and the low spin-flip scattering in the high quality interface InGaAs layer.
キーワード (和) スピントロニクス / スピン注入 / 非局所配置 / 2次元電子系 / / / /  
(英) Spintronics / Spin injection / non-local configuration / Two-dimensional electron gas / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 154, ED2012-52, pp. 61-65, 2012年7月.
資料番号 ED2012-52 
発行日 2012-07-19 (ED) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
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技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード ED2012-52

研究会情報
研究会 ED  
開催期間 2012-07-26 - 2012-07-27 
開催地(和) 福井大学 文京キャンパス産学官連携本部3F研修室 
開催地(英) Fukui University 
テーマ(和) 半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般 
テーマ(英) Semiconductor Process and Devices (surface, interface, reliability), others 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 ED 
会議コード 2012-07-ED 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) 非局所配置を用いた高In組成InGaAs/InAlAs2次元電子系へのスピン注入実験 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Spin injection experiment into high In-content InGaAs/InAlAs two-dimensional electron gas carried out in a non-local configuration 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) スピントロニクス / Spintronics  
キーワード(2)(和/英) スピン注入 / Spin injection  
キーワード(3)(和/英) 非局所配置 / non-local configuration  
キーワード(4)(和/英) 2次元電子系 / Two-dimensional electron gas  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 日高 志郎 / Shiro Hidaka / ヒダカ シロウ
第1著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 近藤 太郎 / Taro Kondo / コンドウ タロウ
第2著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 赤堀 誠志 / Masashi Akabori / アカボリ マサシ
第3著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 山田 省二 / Syoji Yamada / ヤマダ ショウジ
第4著者 所属(和/英) 北陸先端科学技術大学院大学 (略称: 北陸先端大)
Japan Advanced Institute of Science and Technology (略称: JAIST)
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講演者 第4著者 
発表日時 2012-07-27 11:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 ED 
資料番号 ED2012-52 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.154 
ページ範囲 pp.61-65 
ページ数
発行日 2012-07-19 (ED) 


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