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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-08-02 11:25 ［招待講演］0.5V動作低エネルギー回路と応用 ○篠原尋史（半導体理工学研究センター）  SDM2012-67 ICD2012-35 |
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| 抄録 | （和） | 電源電圧を0.5Vあるいはそれ以下の極低電圧で動作させることが、根本的なLSI消費エネルギー低減策として期待が集まっているが、素子ばらつきへの対応など課題も多い。ロジック、メモリ、電源、無線の様々な要素回路とその統合において、0.5V級の低電圧動作で低消費エネルギーを実現する最近の研究事例を紹介する。 |
| （英） | Extremely low voltage operation down to nearly or less than 0.5V has been gathering attention as a fundamental way to reduce the energy consumption of LSI. However, a lot of challenges such as those against variability are required. In this paper, recent research achievements in many elementary circuits; logic, memory, power management, wireless communication and their integration are presented. | |
| キーワード | （和） | 極低電圧 / ニアスレッショルド / サブスレッショルド / 極低消費電力 / エネルギー最適 / / / |
| （英） | Extremely Low Voltage / Near-threshold / Sub-threshold / Extremely Low Power / Energy Efficiency / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 170, ICD2012-35, pp. 23-28, 2012年8月. | |
| 資料番号 | ICD2012-35 | |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-67 ICD2012-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2012-08-02 - 2012-08-03 |
| 開催地（和） | 札幌市男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low-power, low-voltage device and circuit technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | ICD |
| 会議コード | 2012-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 0.5V動作低エネルギー回路と応用 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Low Energy Dissipation Circuits with 0.5V Operation Voltage and Applications |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 極低電圧 / Extremely Low Voltage |
| キーワード(2)（和/英） | ニアスレッショルド / Near-threshold |
| キーワード(3)（和/英） | サブスレッショルド / Sub-threshold |
| キーワード(4)（和/英） | 極低消費電力 / Extremely Low Power |
| キーワード(5)（和/英） | エネルギー最適 / Energy Efficiency |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 篠原 尋史 / Hirofumi Shinohara / シノハラ ヒロフミ |
| 第1著者 所属（和/英） | 半導体理工学研究センター (略称： 半導体理工学研究センター) Semiconductor Technology Academic Research Center (略称： STARC) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-08-02 11:25:00 |
| 発表時間 | 40分 |
| 申込先研究会 | ICD |
| 資料番号 | SDM2012-67, ICD2012-35 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.169(SDM), no.170(ICD) |
| ページ範囲 | pp.23-28 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) |
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