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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-08-02 13:50 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 ○太田健介・齋藤真澄・田中千加（東芝）・内田 健（東工大）・沼田敏典（東芝）  SDM2012-70 ICD2012-38 |
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| 抄録 | （和） | (まだ登録されていません) |
| （英） | (Not available yet) | |
| キーワード | （和） | / / / / / / / |
| （英） | / / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 169, SDM2012-70, pp. 37-42, 2012年8月. | |
| 資料番号 | SDM2012-70 | |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | SDM2012-70 ICD2012-38 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | ICD SDM |
| 開催期間 | 2012-08-02 - 2012-08-03 |
| 開催地（和） | 札幌市男女共同参画センター |
| 開催地（英） | Sapporo Center for Gender Equality, Sapporo, Hokkaido |
| テーマ（和） | 低電圧/低消費電力技術、新デバイス・回路とその応用 |
| テーマ（英） | Low-power, low-voltage device and circuit technology |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | SDM |
| 会議コード | 2012-08-ICD-SDM |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | 10nm径トライゲートナノワイヤMOSFETにおける高電界輸送特性向上と薄BOXによる閾値調整 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | 10nm-Diameter Tri-Gate Silicon Nanowire MOSFETs with Enhanced High-Field Transport and Vth Tunability through Thin BOX |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | / |
| キーワード(2)（和/英） | / |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 太田 健介 / Kensuke Ota / オオタ ケンスケ |
| 第1著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 齋藤 真澄 / Masumi Saitoh / サイトウ マスミ |
| 第2著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田中 千加 / Chika Tanaka / タナカ チカ |
| 第3著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 内田 健 / Ken Uchida / ウチダ ケン |
| 第4著者 所属（和/英） | 東京工業大学 (略称： 東工大) Tokyo Institute of Technology (略称： TIT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 沼田 敏典 / Toshinori Numata / ヌマタ トシノリ |
| 第5著者 所属（和/英） | 株式会社 東芝 (略称： 東芝) Toshiba (略称： Toshiba) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-08-02 13:50:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | SDM |
| 資料番号 | SDM2012-70, ICD2012-38 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.169(SDM), no.170(ICD) |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-07-26 (SDM, ICD) |
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