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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-08-23 16:05 InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 ○吉岡佑毅（東京電機大）・山本直克・赤羽浩一・川西哲也（NICT）・外林秀之（青学大）・高井裕司（東京電機大）  R2012-31 EMD2012-37 CPM2012-62 OPE2012-69 LQE2012-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2012-37 CPM2012-62 OPE2012-69 LQE2012-35 |
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| 抄録 | （和） | 新たな光周波数資源の開拓は，将来の光情報通信容量拡大の基盤技術となる．我々は，光情報通信応用を目的とした新周波数帯域としてT-band (1000-1260nm)とO-band (1260-1360nm)に注目し，この帯域で動作する光ゲインデバイスの研究開発を推進している．今回，GaAs基板上にInAs/InGaAs量子ドットを積層させたものとInAs/InGaAs量子ドット上のギャップ層を制御し変調量子ドット構造を持たせた二種類の光ゲインチップを作製した．この光ゲインチップを外部共振器機構に組み込み波長可変光源を構築した．結果，ゲイン材料にInAs/InGaAs量子ドットを用い広帯域利得を得ることで1.2μm-1.3μm帯で動作する広帯域波長可変光源の開発に成功した． |
| （英） | Significant expansion and effective use of optical frequency resources are expected to be an important technology for future optical communication. Recently, we focused on a development of the novel optical frequency resource in a Thousand-band (T-band; 1000-1260nm), and O-band (1260-1360nm). Optical gain devices with InAs/InGaAs quantum dot (QD) structure are considered to be useful photonic gain material in those wavebands. In this paper, we investigated broadband QD optical-gain material using the sandwiched sub-nano separator (SSNS) which provides a high quality QD and a modulated structures. We also constructed wavelength-tunable QD light source using the broadband QD optical-gain material. As a result, a broadband wavelength-tunability was successfully demonstrated in the 1.2-1.3 μm wavebands. | |
| キーワード | （和） | 量子ドット / 広帯域 / 波長可変レーザ / / / / / |
| （英） | Quantum dot / Broadband / Wavelength-tunable laser / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 184, LQE2012-35, pp. 51-56, 2012年8月. | |
| 資料番号 | LQE2012-35 | |
| 発行日 | 2012-08-16 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | R2012-31 EMD2012-37 CPM2012-62 OPE2012-69 LQE2012-35 エレソ技報アーカイブへのリンク：EMD2012-37 CPM2012-62 OPE2012-69 LQE2012-35 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE CPM EMD OPE R |
| 開催期間 | 2012-08-23 - 2012-08-24 |
| 開催地（和） | 東北大学電気通信研究所 |
| 開催地（英） | Tohoku Univ. |
| テーマ（和） | 光部品・電子デバイス実装技術・信頼性、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | LQE |
| 会議コード | 2012-08-LQE-CPM-EMD-OPE-R |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | InAs/InGaAs量子ドット構造を用いた広帯域量子ドット光ゲインデバイスの開発 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Development of broadband quantum-dot optical gain device with InAs/InGaAs quantum-dot structure |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 量子ドット / Quantum dot |
| キーワード(2)（和/英） | 広帯域 / Broadband |
| キーワード(3)（和/英） | 波長可変レーザ / Wavelength-tunable laser |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 吉岡 佑毅 / Yuki Yoshioka / ヨシオカ ユウキ |
| 第1著者 所属（和/英） | 東京電機大学大学院 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： Tokyo Denki Univ) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 山本 直克 / Naokatsu Yamamoto / ヤマモト ナオカツ |
| 第2著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 赤羽 浩一 / Kouichi Akahane / アカハネ コウイチ |
| 第3著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 川西 哲也 / Tetsuya Kawanishi / カワニシ テツヤ |
| 第4著者 所属（和/英） | 情報通信研究機構 (略称： NICT) National Institute of Information and Communications Technology (略称： NICT) |
| 第5著者 氏名（和/英/ヨミ） | 外林 秀之 / Hideyuki Sotobayashi / ソトバヤシ ヒデユキ |
| 第5著者 所属（和/英） | 青山学院大学 (略称： 青学大) Aoyama Gakuin University (略称： Aoyama Gakuin Univ) |
| 第6著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高井 裕司 / Hiroshi Takai / タカイ ヒロシ |
| 第6著者 所属（和/英） | 東京電機大学大学院 (略称： 東京電機大) Tokyo Denki University (略称： Tokyo Denki Univ) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-08-23 16:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | LQE |
| 資料番号 | R2012-31, EMD2012-37, CPM2012-62, OPE2012-69, LQE2012-35 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.180(R), no.181(EMD), no.182(CPM), no.183(OPE), no.184(LQE) |
| ページ範囲 | pp.51-56 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-08-16 (R, EMD, CPM, OPE, LQE) |
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