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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-12 16:40 Flash SSDにおける記憶管理方式の評価 ○高下巧磨・北村俊明（広島市大）  CPSY2012-43 |
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| 抄録 | （和） | ストレージとして使用されるSSDの記憶素子には，不揮発性の半導体メモリであるNANDフラッシュメモリが用いられている． SSDは，ホストとNANDフラッシュメモリ間のデータの橋渡しや，NANDフラッシュメモリの使用上の制約に対処するための制御を行う必要がある． この制御のための論理－物理アドレス変換は，SSDの性能と寿命に大きく関わっており，現在多種多様な方式で行われている． そこで我々は，NANDフラッシュメモリにより構成されるSSDのソフトウェアシミュレータを作成した． さらに，論理－物理アドレス変換を行うデータの粒度に着目し「Replacement BlockFTL」，「DFTL」，「BAST」と呼ばれるNANDフラッシュメモリの制御方式を実装した。 本稿では，それぞれの制御方式に対し，いくつかのワークロードを用いてシミュレーションを行い，性能と寿命の観点で評価を行った． DRAM バッファの容量を変化させることにより，SSDの性能は最大31%向上し，Write Amplificationは最大1.8ポイント減少した． ランダム性の高いワークロードでは，SRAMの容量は，寿命に大きな影響を与えることが分かった． BASTにおいて，シーケンシャル/ランダムの閾値を大きくすると，ガベージコレクションの発生回数は，最大でおよそ35K回増加し，性能は最大79%低下した． |
| （英） | The NAND Flash memory is nonvolatile semiconductor memory used for storage element of SSD. SSD needs to handle the data between host and NAND Flash memory and handle restrictions on use. Logical-physical address translation greatly concerns performance and lifetime of SSD. This is performed by various systems. Therefore, we made a software simulator of SSD based on NAND Flash memory. Then, we focus attention on granularity of data which performs logical-physical address translation, and implemented memory management schema of the NAND Flash memory called Replacement BlockFTL, DFTL and BAST. In this paper, we simulated each control schema with some workload, and evaluated their the performance and lifetime. By changing the capacity of DRAM buffer, SSD performance improved 31%, and Write Amplification decreased 1.8 point. We learned SRAM is significant factor for SSD lifetime in random access workload. In BAST, garbage collection increased about 35,000 times and the performance decrease 9% when the sequential/random threshold value was enlarged. |
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| キーワード | （和） | NANDフラッシュメモリ / Flash Translation Layer / ストレージシステム / / / / / |
| （英） | NAND Flash memory / Flash Translation Layer / Storage System / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 237, CPSY2012-43, pp. 73-78, 2012年10月. | |
| 資料番号 | CPSY2012-43 | |
| 発行日 | 2012-10-05 (CPSY) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | CPSY2012-43 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPSY |
| 開催期間 | 2012-10-12 - 2012-10-12 |
| 開催地（和） | 広島大学 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | クラウド、ネットワークおよび一般 |
| テーマ（英） | |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | CPSY |
| 会議コード | 2012-10-CPSY |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | Flash SSDにおける記憶管理方式の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of memory management schema for Flash SSD |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | NANDフラッシュメモリ / NAND Flash memory |
| キーワード(2)（和/英） | Flash Translation Layer / Flash Translation Layer |
| キーワード(3)（和/英） | ストレージシステム / Storage System |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 高下 巧磨 / Takuma Kouge / コウゲ タクマ |
| 第1著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City University (略称： Hiroshima City Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 北村 俊明 / Toshiaki Kitamura / |
| 第2著者 所属（和/英） | 広島市立大学 (略称： 広島市大) Hiroshima City University (略称： Hiroshima City Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-12 16:40:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | CPSY |
| 資料番号 | CPSY2012-43 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.237 |
| ページ範囲 | pp.73-78 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-10-05 (CPSY) |
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