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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-17 13:20 CTAB/Siヘテロ接合試料の電気特性 ○出口陽子・田口真理・小澤あつみ・今井 元（日本女子大）  OME2012-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2012-46 |
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| 抄録 | （和） | 我々は有機材料によるp-nホモ接合を実現することを目的とし，界面活性剤であるCetyl Trimethyl Ammonium Bromide：CTABと，不純物にヨウ化カリウム：KIを用いて試料を作製している．これまで，抵抗率，温度依存性，光導電性などの測定を行い，半導体的性質を検討した．さらにCTAB試料でホモ接合試料を作製し，ダイオード特性が得られた． CTAB試料がp型，n型に作り分けられているかを確認するために，これまでGaAsを用い，ヘテロ接合を作製し特性の検討を試みた．今回さらにSiを用いて，p- C16TAB /n-Siとn-C16TAB/p-Siの2種類のヘテロ接合試料を作製し，特性評価を行った．また，ヘテロ接合試料のバンド構造の検討を行い，GaAsで得れらた電子親和力の値2.6eVとほぼ同じ，約2.5eVが推定できた．さらに，電子親和力の値を用いて，C16TABのフェルミ準位の検討を行った． |
| （英） | We have used a surfactant material of Cetyl Trimethyl Ammonium Bromide: CTAB as an organic material. We have already evaluated the electrical and optical properties of this material, such as the resistivity, its temperature dependence, and the spectral dependence of the photoconductivity. Furthermore, we made the homo-junction sample of CTAB materials. The I-V characteristics were reported to be very similar to the inorganic p-n homo-junction diode characteristics. We fabricated two different the hetero-structure diodes using p-C16TAB/ n-Si and n-C16TAB/p-Si. We measured I-V characteristics to evaluate the diode performance of them. Moreover, from the I-V characteristics, we estimated the electron affinity of C16TAB. Further, we considered the Fermi-revel of C16TAB using the value of the electron affinity. | |
| キーワード | （和） | 有機材料 / 有機/無機へテロ接合 / / / / / / |
| （英） | Organic material / The hetero-structure diodes / / / / / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, no. 244, OME2012-46, pp. 7-10, 2012年10月. | |
| 資料番号 | OME2012-46 | |
| 発行日 | 2012-10-10 (OME) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | OME2012-46 エレソ技報アーカイブへのリンク：OME2012-46 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | OME |
| 開催期間 | 2012-10-17 - 2012-10-17 |
| 開催地（和） | 機械振興会館 B1F 3号室 |
| 開催地（英） | Kikai-Shinko-Kaikan Bldg. |
| テーマ（和） | 有機デバイス全般・一般 |
| テーマ（英） | General Aspects of Organic Devices |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | OME |
| 会議コード | 2012-10-OME |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | CTAB/Siヘテロ接合試料の電気特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical property of CTAB/Si hetero-structures |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機材料 / Organic material |
| キーワード(2)（和/英） | 有機/無機へテロ接合 / The hetero-structure diodes |
| キーワード(3)（和/英） | / |
| キーワード(4)（和/英） | / |
| キーワード(5)（和/英） | / |
| キーワード(6)（和/英） | / |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 出口 陽子 / Yoko Deguchi / デグチ ヨウコ |
| 第1著者 所属（和/英） | 日本女子大学 (略称： 日本女子大) Japan Women's University (略称： Japan Women's Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 田口 真理 / Mari Taguchi / タグチ マリ |
| 第2著者 所属（和/英） | 日本女子大学 (略称： 日本女子大) Japan Women's University (略称： Japan Women's Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 小澤 あつみ / Atsumi Ozawa / オザワ アツミ |
| 第3著者 所属（和/英） | 日本女子大学 (略称： 日本女子大) Japan Women's University (略称： Japan Women's Univ.) |
| 第4著者 氏名（和/英/ヨミ） | 今井 元 / Hajime Imai / イマイ ハジメ |
| 第4著者 所属（和/英） | 日本女子大学 (略称： 日本女子大) Japan Women's University (略称： Japan Women's Univ.) |
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| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-17 13:20:00 |
| 発表時間 | 20分 |
| 申込先研究会 | OME |
| 資料番号 | OME2012-46 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.244 |
| ページ範囲 | pp.7-10 |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2012-10-10 (OME) |
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