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| 講演抄録／キーワード | ||
| 講演名 | 2012-10-18 17:05 CoFeB/MgO-磁気トンネル接合の特性改善を目指した窒化物キャップ層の作製 ○杉原 敦・大崎創一郎・中谷亮一（阪大）  MR2012-24 |
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| 抄録 | （和） | CoFeB/MgO磁気トンネル接合においては，キャップ層原子のCoFeB層中への拡散を低減することによって特性が大幅に改善する可能性がある．拡散の低減のためには従来のキャップ層材料であるTaと比較して熱的安定性の高い材料をキャップ層に用いることが必要であるが，CoFeB/MgO磁気トンネル接合に適用する場合には，さらに低い比抵抗，bcc-CoFeB(001)と整合する結晶配向もしくはナノ結晶性，およびアニール中にCoFeBからBを吸収する性質を具備する必要がある．本研究では低比抵抗，高熱的安定性材料であるTa-NならびにTi-Nに着目し，これらのCoFeB/MgO-MTJのキャップ層としての適合性を，微細構造ならびに磁気的特性評価を通して評価した．結果，TiNがTaと比較してCoFeB/MgO-MTJのキャップ層としての高い適合性を有することの示唆を得た． |
| （英） | Properties of a CoFeB/MgO-magnetic tunnel junction are possibly improved by suppression of diffusion from a capping layer to a CoFeB layer. To suppress the diffusion, while a use of a capping layer material with high thermal stability is effective, low resistivity, well-matching crystallographic orientation with bcc-CoFeB(001) or nano-crystalline structure and boron scavenging behavior for adjacent CoFeB layer during annealing process are also needed. In this study, we focused on Ta-N and Ti-N, and characterized their microstructure and magnetic properties discussing their potential as a capping material of a CoFeB/MgO-magnetic tunnel junction. The results suggested that TiN was superior to Ta as a capping material of a CoFeB/MgO-magnetic tunnel junction. | |
| キーワード | （和） | Ta / Ta-N / Ti-N / CoFeB / 磁気トンネル接合 / CoFeB/MgO-磁気トンネル接合 / / |
| （英） | Ta / Ta-N / Ti-N / CoFeB / Magnetic Tunnel Junction / CoFeB/MgO-Magnetic Tunnel Junction / / | |
| 文献情報 | 信学技報, vol. 112, 2012年10月. | |
| 資料番号 | ||
| 発行日 | 2012-10-11 (MR) | |
| ISSN | Print edition: ISSN 0913-5685 Online edition: ISSN 2432-6380 | |
| 著作権に ついて |
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します．(許諾番号：10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034) | |
| PDFダウンロード | MR2012-24 |
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| 研究会情報 | |
| 研究会 | MRIS ITE-MMS |
| 開催期間 | 2012-10-18 - 2012-10-19 |
| 開催地（和） | 秋田県産業技術センター(AIT) 高度技術研究館 |
| 開催地（英） | AIT |
| テーマ（和） | ヘッド・スピントロニクス，一般 |
| テーマ（英） | Recording head, Spintronics, etc. |
| 講演論文情報の詳細 | |
| 申込み研究会 | MRIS |
| 会議コード | 2012-10-MR-MMS |
| 本文の言語 | 日本語 |
| タイトル（和） | CoFeB/MgO-磁気トンネル接合の特性改善を目指した窒化物キャップ層の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Preparation of nitride capping layers for an improvement of magnetic properties in a CoFeB/MgO-magnetic tunnel junction |
| サブタイトル（英） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ta / Ta |
| キーワード(2)（和/英） | Ta-N / Ta-N |
| キーワード(3)（和/英） | Ti-N / Ti-N |
| キーワード(4)（和/英） | CoFeB / CoFeB |
| キーワード(5)（和/英） | 磁気トンネル接合 / Magnetic Tunnel Junction |
| キーワード(6)（和/英） | CoFeB/MgO-磁気トンネル接合 / CoFeB/MgO-Magnetic Tunnel Junction |
| キーワード(7)（和/英） | / |
| キーワード(8)（和/英） | / |
| 第1著者 氏名（和/英/ヨミ） | 杉原 敦 / Atsushi Sugihara / スギハラ アツシ |
| 第1著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第2著者 氏名（和/英/ヨミ） | 大崎 創一郎 / Soichiro Osaki / オオサキ ソウイチロウ |
| 第2著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 第3著者 氏名（和/英/ヨミ） | 中谷 亮一 / Ryoichi Nakatani / |
| 第3著者 所属（和/英） | 大阪大学 (略称： 阪大) Osaka University (略称： Osaka Univ.) |
| 講演者 | 第1著者 |
| 発表日時 | 2012-10-18 17:05:00 |
| 発表時間 | 25分 |
| 申込先研究会 | MRIS |
| 資料番号 | MR2012-24 |
| 巻番号（vol） | vol.112 |
| 号番号（no） | no.249 |
| ページ範囲 | pp.37-42 |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2012-10-11 (MR) |
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