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講演抄録/キーワード
講演名 2012-10-26 09:25
TTLを使用した半導体の劣化と放射妨害波の関係の検討
上田 翼奥村 拡桑原伸夫九工大)・秋山佳春NTTEMCJ2012-76 EST2012-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:EST2012-60
抄録 (和) 電子機器から漏洩する電磁波にはさまざまな情報が含まれている.この情報の中より,電子機器の劣化に必要な情報を取得できれば,非接触で機器の診断が可能となる.そこで,まず,単純な半導体素子であるTTLを熱劣化させ,劣化のレベルと放射妨害波の関係を検討した.その結果,1)TTLは外部から熱を加えても,負荷を大きくしてチップの温度を上げても,アウレニウスの式に従って劣化をすること,2)TTLの場合 は,劣化により放射妨害波のレベルが下がること,3)TTLの劣化により,ボード上の磁界,電界分布に変化が現れるが,これより劣化したTTLを 特定するにはさらなる検討が必要であることがわかった. 
(英) Various information is included in the electromagnetic waves leaked from an electronic device. If information required for maintenance of an electronic device is acquirable from the electromagnetic waves, we can estimate the degradation of the devices by non-contact. Then, the relation between the degradation and the emitted electromagnetic field was investigating by using a TTL. TTL was selected as the devices for experiment and heat deterioration was carried out for the investigation. The investigation suggests following results; 1) Degradation of TTL advances by Arrhenius equation and the process is independent from the method of heating, 2) The emission level from TTL decreases according to degradation of TTL, 3) More investigation is needed to identify the degrading TTL from leaked electromagnetic field although the magnetic field distribution changes by existing of the degrading TTLs.
キーワード (和) 漏洩電磁界 / 電子機器劣化 / TTL / 加熱劣化 / / / /  
(英) Leaked electromagnetic field / Degradation of electrical devices / TTL / Heat degradation / / / /  
文献情報 信学技報, vol. 112, no. 256, EMCJ2012-76, pp. 71-76, 2012年10月.
資料番号 EMCJ2012-76 
発行日 2012-10-18 (EMCJ, EST) 
ISSN Print edition: ISSN 0913-5685    Online edition: ISSN 2432-6380
著作権に
ついて
技術研究報告に掲載された論文の著作権は電子情報通信学会に帰属します.(許諾番号:10GA0019/12GB0052/13GB0056/17GB0034/18GB0034)
PDFダウンロード EMCJ2012-76 EST2012-60 エレソ技報アーカイブへのリンク:EST2012-60

研究会情報
研究会 EST EMCJ IEE-EMC  
開催期間 2012-10-25 - 2012-10-26 
開催地(和) 東北学院大学 多賀城キャンパス 
開催地(英) Tohoku Gakuin University(Tagajo Campus) 
テーマ(和) シミュレーション技術、EMC、一般 
テーマ(英) Simulation technology, EMC, etc. 
講演論文情報の詳細
申込み研究会 EMCJ 
会議コード 2012-10-EST-EMCJ-EMC 
本文の言語 日本語 
タイトル(和) TTLを使用した半導体の劣化と放射妨害波の関係の検討 
サブタイトル(和)  
タイトル(英) Investigation of relation between disturbance level and degradation of semiconductor devices by using TTL 
サブタイトル(英)  
キーワード(1)(和/英) 漏洩電磁界 / Leaked electromagnetic field  
キーワード(2)(和/英) 電子機器劣化 / Degradation of electrical devices  
キーワード(3)(和/英) TTL / TTL  
キーワード(4)(和/英) 加熱劣化 / Heat degradation  
キーワード(5)(和/英) /  
キーワード(6)(和/英) /  
キーワード(7)(和/英) /  
キーワード(8)(和/英) /  
第1著者 氏名(和/英/ヨミ) 上田 翼 / Tsubasa Ueda / ウエダ ツバサ
第1著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: KIT)
第2著者 氏名(和/英/ヨミ) 奥村 拡 / Hiromu Okumura / オクムラ ヒロム
第2著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: KIT)
第3著者 氏名(和/英/ヨミ) 桑原 伸夫 / Nobuo Kuwabara / クワバラ ノブオ
第3著者 所属(和/英) 九州工業大学 (略称: 九工大)
Kyushu Institute of Technology (略称: KIT)
第4著者 氏名(和/英/ヨミ) 秋山 佳春 / Yoshiharu Akiyama / アキヤマ ヨシハル
第4著者 所属(和/英) NTT環境エネルギー研究所 (略称: NTT)
NTT Energy and Environment Systems Laboratories (略称: NTT)
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講演者 第1著者 
発表日時 2012-10-26 09:25:00 
発表時間 25分 
申込先研究会 EMCJ 
資料番号 EMCJ2012-76, EST2012-60 
巻番号(vol) vol.112 
号番号(no) no.256(EMCJ), no.257(EST) 
ページ範囲 pp.71-76 
ページ数
発行日 2012-10-18 (EMCJ, EST) 


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